準安定酸素・窒素励起種ビームによる表面酸化・窒化反応の研究
準安定酸素・窒素励起種ビームによる表面酸化・窒化反応の研究
批准号:
10875004
负责人:
楠 勲
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 1999
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英文摘要
本研究は、準安定励起種を超高真空下の清浄固体表面に照射し、その表面の酸化・窒化反応の過程を調べることを目的とした。平成11年度は、熱励起したエチレン分子線をシリコン(100)表面に照射したときの炭化反応をX線光電子分光法(XPS)で観察して、分子線照射中心では黒鉛が形成されるのに対して分子線照射近傍では炭化珪素が成長している事がわかった。これは、固体表面における気体との化学反応が気体の供給濃度(フラックス)に依存することを示している。更にこの表面を反射高速電子回折法(RHEED)で詳しく分析し、結晶成長過程を調べた。これは、次世代のシリコンカーバイドを利用したデバイス素子への応用研究という点からも重要である。またダイヤモンドやアルミニウムの表面に窒素イオンビームを照射した際に形成される窒化膜についてもXPS観察を行い、更に電子顕微鏡(SEM)や原子間力顕微鏡(AFM)で表面形態を観察すると共に、電子励起発光についても研究を行った。更に本年度は、励起種ビーム源と超高真空槽を接続するための差動排気真空槽と円筒鏡型電子エネルギー分析器を当研究所内工場で作製した。
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猪狩佳幸 他: "高温エチレンビームとSi(100)表面の反応" 真空. 41. 391-392 (1998)
Yoshiyuki Ikari 等人:“高温乙烯束与 Si(100) 表面之间的反应”真空。 41. 391-392 (1998)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Takami et al.: "STM/AFM study of a SiC film grown on Si(100) surface using a C_2H_4 beam"Applied Surface Science. (印刷中).
T. Takami 等人:“使用 C_2H_4 光束在 Si(100) 表面上生长的 SiC 薄膜的 STM/AFM 研究”《应用表面科学》(正在出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
楠 勲、高岡 毅: "シリコン表面の炭化反応" 真空. 41. 992-1000 (1998)
Isao Kusunoki、Takeshi Takaoka:“硅表面的碳化反应”真空。 41. 992-1000 (1998)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.Kusunoki, et al.: "Reaction of a Si(100) surface with a hot C_2H_4 beam"Surface Science. 433-435. 167-171 (1999)
I.Kusunoki 等人:“Si(100) 表面与热 C_2H_4 束的反应”表面科学。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Takami et al.: "Two different domains in cubic boron nitride(111) surface observed by friction force microscopy" Applied Physics Letters. 73. 2733-2735 (1998)
T.Takami 等人:“通过摩擦力显微镜观察到立方氮化硼 (111) 表面的两个不同域”应用物理快报。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
水素結合型分子クラスターの固体表面衝突による分解反応
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批准号:07240204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子ビ-ム・イオンビ-ム法による炭化水素分子と固体表面の反応過程の研究
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批准号:02214202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1990
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子ビ-ム・イオンビ-ム法による炭化水素分子と固体表面の反応過程の研究
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批准号:01632502
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子ビーム・イオンビーム法による炭化水素分子と固体表面の反応過程の研究
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批准号:63632502
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1988
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负责人:楠 勲
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依托单位:
低エネルギーイオンビームの固体表面での散乱と電荷交換過程
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批准号:61212001
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1986
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负责人:楠 勲
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依托单位:
低エネルギーイオンビームの固体表面での散乱と電荷交換過程の研究
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批准号:60220001
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.2万
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财政年份:1985
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负责人:楠 勲
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依托单位:
イオンビーム発光法によるイオンと分子の電荷交換反応の研究
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批准号:60540269
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1985
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负责人:楠 勲
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依托单位:
低エネルギーイオンビームによる化学発光と分子励起の研究
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批准号:58540246
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1983
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负责人:楠 勲
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依托单位:
ノズル分子線装置の高性能化
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批准号:X00120----585045
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.69万
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财政年份:1980
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负责人:楠 勲
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依托单位:
簡単なイオン分子反応の完全解明
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批准号:X00080----447002
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.93万
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财政年份:1979
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负责人:楠 勲
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依托单位:
数エレクトロンボルトの中性原子線発生装置の開発
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批准号:X00120----385058
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.94万
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财政年份:1978
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子線スペクトロスコピーの可能性に関する研究
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批准号:X00090----054026
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.61万
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财政年份:1975
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子線スペクトロスコピーの可能性に関する研究
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批准号:X00090----954085
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1974
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子線速度解析装置の試作
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批准号:X00120----885008
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1973
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负责人:楠 勲
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依托单位:
分子類による励起分子の寿命測定
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批准号:X45210------4078
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1970
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负责人:楠 勲
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依托单位:
海外基金