权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

分子ビ-ム・イオンビ-ム法による炭化水素分子と固体表面の反応過程の研究

利用分子束和离子束方法研究碳氢化合物分子与固体表面的反应过程

基本信息

批准号：
01632502
负责人：
楠勲
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01632502/
关键词：
分子ビ-ムシリコンシリコンカ-バイド表面反応アセチレン

项目摘要

アセチレンビ-ムをシリコン単結晶表面(001)上に照射し、シリコンカ-バイド薄膜の形成過程について研究した。超高真空中で加熱して清浄化したシリコン表面は、780℃以上でアセチレンと反応して、シリコンカ-バイド膜を形成することがオ-ジェ電子分光法などで確認された。膜形成機構は入射ビ-ムの濃度および表面温度に依存して二つに区別される。ビ-ム濃度が小さいか表面温度が高い場合は、成長表面上に常にシリコン原子が内部から拡散して過剰に存在し、外部から到達するアセチレン分子数が律速になって、表面反応が成長速度を支配している。この場合は、エピタキシ-成長が起こっており、面方位に沿って単結晶膜ができる。これは表面反射エックス線回折、電子線回折、走査形電子顕微鏡などによって確認された。それに対して、表面温度が820℃で、入射ビ-ム濃度が高い場合は、表面は熱分解したカ-ボン膜によって覆われ、走査顕微鏡でみるとクレ-タ状のでこぼこしたものが一面に広がっている。このような場合には、反応物(シリコン原子および炭素原子とその化合物)の生成膜中の拡散が律速になり、成長速度は時間と共に遅くなる。表面反応が律速になっているときの反応確率は、入射ビ-ム濃度にあまり依存せず、表面温度が高くなると減少する傾向にある。反応確率は0.005から0.02までの範囲にあった。しかし、表面温度が比較的低い場合は、入射ビ-ム濃度をあげてゆくと拡散が律速する領域に入るので、反応確率は急速に減少した。成長膜の断面を透過型電子顕微鏡で観測すると、元の基板の上にはほぼ一様にシリコンカ-バイド膜が成長しているが、基板内部にはピラミッド状の浸食がみられる。この浸食部にはアモルファス状または多結晶状のシリコンカ-バイドが形成されているように見える。

The formation of thin films on the crystal surface (001) has been studied. In ultra-high vacuum, the surface is clear, the temperature is above 780 ℃, the temperature is above 780 ℃, and the thin film is formed. The film forming machine is sensitive to the temperature dependence of the surface temperature. When the temperature is low, the surface temperature is high, the growth surface is high, the internal dispersion of atoms is high, the number of molecules is high, and the growth rate of surface reaction dominates the growth of temperature. When they grow up, they start to grow, and the orientation of the face is along the crystal film of the crystal. The surface reflection line is folded back, the power line is folded, and the microphone is used to make sure that it is not working. The surface temperature is 820 ℃, the incident temperature is 820 ℃, The diffusion rate and growth rate in the film were determined by the combination of carbon atoms and anticompounds, and the growth rate in the film was measured in time. Surface response rate, incidence, dependence, surface temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, The confirmation rate is 0.005