课题基金 / 基金详情

半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移

半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移
半导体脊型纳米结构的近场光分布和光学跃迁
批准号:
11122205
负责人:
秋山 英文
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 --

项目摘要

项目成果

秋山 英文的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
鋭く尖ったリッジ型ファセット成長ナノ構造試料に対し、ソリッドイマージョン(SIL)近接場蛍光顕微分光法を用いて近接場光をピックアップし観察を行った。SILはマイクロボールを半球型もしくはレンズ中心からr/nの高さで底面加工したレンズ(ワイエルストラス球型)で理想的には球面収差はない。これを通常の光学顕微鏡の対物レンズと組み合わせて発光画像計測を室温および低温で行った。その際、分解能の向上のみならず、検出効率の著しい向上が確かめられた。これを理解するために、誘電体界面上やその近傍に存在する分子からの双極子放射過程を物理的に考察し、実験結果の解釈を得た。これらは、近接場顕微鏡一般に関わる問題を含むとともに、特に単分子計測など化学・生物・医学への応用にも有用と思われる。さらに、この効果を研究するために、蛍光色素をドープした半径110nmのポリスチレンビーズをもちいて、n=1.687の半球型SILにそのビーズを付着させ、空気側とSIL側から、反射型励起蛍光顕微鏡を行い、得られる蛍光強度を比較した。NA=0.55の対物レンズで7.5倍、NA=0.8の対物レンズで12倍もの検出蛍光強度の増大が観測された。ケーラー照明光がSILによりn^2=2.85ぶんだけ集光されることを考慮に入れると、NA=0.55と0.8の場合のそれぞれの検出効率(SIL側/空気側)は、2.6および4.2倍改善していることになる。半球型SILの表面近くに置かれた蛍光体からの蛍光放射パターンを計算したところ、蛍光が、屈折率の高いSILの側に強く片寄っていることがわかり、実験結果を定量的に再現できることがわかった。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H. Sasaki: "10nm-scale edge-and step-quantum wires and related structures: Progress in their design, epitaxial synthesis and physics"Physica E. 4. 56-64 (1999)
H. Sasaki:“10nm 级边缘和阶梯量子线及相关结构:其设计、外延合成和物理进展”Physica E. 4. 56-64 (1999)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
12
    電流注入レーザーの極端非線形利得スイッチによる光子寿命限界を破る短パルス発生
    • 批准号:
      24K00919
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.81万
    • 财政年份:
      2024
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    電流注入利得スイッチレーザー活性層の限界駆動高速非線形性とその電気的制御
    • 批准号:
      21H01361
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.48万
    • 财政年份:
      2021
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    高品質半導体ナノ構造光デバイスの「ものづくり」と基礎物理研究
    • 批准号:
      14F04907
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.47万
    • 财政年份:
      2014
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    利得スイッチングによる半導体量子構造レーザからの短光パルス発生
    • 批准号:
      10F00374
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.34万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    海外基金