半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移

半导体脊型纳米结构的近场光分布和光学跃迁

• 批准号: 11122205
• 负责人: 秋山 英文
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11122205/
• 关键词: 近接場; 半導体ナノ構造; 量子構造; リッジ; 遷移確率; ソリッドイマージョンレンズ; 顕微鏡

鋭く尖ったリッジ型ファセット成長ナノ構造試料に対し、ソリッドイマージョン(SIL)近接場蛍光顕微分光法を用いて近接場光をピックアップし観察を行った。SILはマイクロボールを半球型もしくはレンズ中心からr/nの高さで底面加工したレンズ(ワイエルストラス球型)で理想的には球面収差はない。これを通常の光学顕微鏡の対物レンズと組み合わせて発光画像計測を室温および低温で行った。その際、分解能の向上のみならず、検出効率の著しい向上が確かめられた。これを理解するために、誘電体界面上やその近傍に存在する分子からの双極子放射過程を物理的に考察し、実験結果の解釈を得た。これらは、近接場顕微鏡一般に関わる問題を含むとともに、特に単分子計測など化学・生物・医学への応用にも有用と思われる。さらに、この効果を研究するために、蛍光色素をドープした半径110nmのポリスチレンビーズをもちいて、n=1.687の半球型SILにそのビーズを付着させ、空気側とSIL側から、反射型励起蛍光顕微鏡を行い、得られる蛍光強度を比較した。NA=0.55の対物レンズで7.5倍、NA=0.8の対物レンズで12倍もの検出蛍光強度の増大が観測された。ケーラー照明光がSILによりn^2=2.85ぶんだけ集光されることを考慮に入れると、NA=0.55と0.8の場合のそれぞれの検出効率(SIL側/空気側)は、2.6および4.2倍改善していることになる。半球型SILの表面近くに置かれた蛍光体からの蛍光放射パターンを計算したところ、蛍光が、屈折率の高いSILの側に強く片寄っていることがわかり、実験結果を定量的に再現できることがわかった。

For the growth of the equipment, the optical fiber and the optical differential optical method (SIL) are used to observe the performance of the equipment. The ideal spherical surface is the ideal surface of the SIL, which is the ideal surface of the ball. In general, optical micrographs are used to measure the temperature of light portraits at room temperature. The temperature, the decomposition rate and the output rate make sure that the temperature is high. We understand that there is a close proximity to the emission process of two polarons in the interface of microwave and electronics. the results of the investigation and the results show that the results are satisfactory. In general, the problems of chemical chemistry, biomedicine, chemistry, biology, medicine, chemistry, biology and medicine. In the study of light pigments, 110nm, light pigments, light, light intensity, light intensity. The light intensity of NA=0.55 is 7.5x, and that of NA=0.8 is 12x. "Lighting" SIL "n ^ 2 = 2.85" collecting lights "exams" input "," NA=0.55 "0.8" combined "" output "rate (SIL

项目成果

Y. Hanamaki: "Spontaneous emission alteration in InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures"Semicond. Sci. Technol.. 14. 797-803 (1999)

Y. Hanamaki：“InGaAs/GaAs 垂直腔表面发射激光器结构中的自发发射变化”

H. Sasaki: "10nm-scale edge-and step-quantum wires and related structures: Progress in their design, epitaxial synthesis and physics"Physica E. 4. 56-64 (1999)

H. Sasaki：“10nm 级边缘和阶梯量子线及相关结构：其设计、外延合成和物理进展”Physica E. 4. 56-64 (1999)

S. Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J. Crystal Growth. 201/202. 810-813 (1999)

S. Koshiba：“包含 10 nm 级线和侧量子阱 (QW) 的 GaAs/AlAs 脊结构的选择性分子束外延 (MBE) 生长及其受激发射特性”J.

M. Baba: "Aberrations and allowances for errors in hemisphere solid immersion lens for submicron-resolution photoluminescence microscopy"J. Appl. Phys.. 85. 6923-6925 (1999)

M. Baba：“亚微米分辨率光致发光显微镜用半球固体浸没透镜的像差和误差容许量”J。

T. Matsusue: "Coherent dynamics of excitons in an island-inserted GaAs/AlAs quantum well structure : Suppression of phase relaxation and a deep quantum beat"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 2735-2740 (1999)

T. Matsusue：“岛插入 GaAs/AlAs 量子阱结构中激子的相干动力学：相弛豫和深量子拍的抑制”Jpn。