课题基金 / 基金详情

高品質半導体ナノ構造光デバイスの「ものづくり」と基礎物理研究

高品質半導体ナノ構造光デバイスの「ものづくり」と基礎物理研究
高品质半导体纳米结构光学器件的“制造”与基础物理研究
批准号:
14F04907
负责人:
秋山 英文
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-25 至 2016-03-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
MBE成長装置のオープン・メンテナンス作業を行い、MBEチャンバー内の清掃、クライオポンプのメンテナンス、材料チャージ、リードスクリーン更新、n型とp型のドープ制御のための自家製のフィラメント型ドーパントセルの改良を前年度末に終えたので、H27年度にそれらを用いて、光励起短パルス発生用半導体レーザー、高効率太陽電池デバイスの結晶成長を行った。太陽電池については、表面反射率の制御のため、理論計算設計と電子ビーム蒸着法による誘電体減反射コーティング膜の作製、評価を行った。単一pn接合太陽電池を用いて太陽電池効率を決定的に支配する非輻射再接合速度の分離選択的な評価測定の実験を進めた。光励起キャリアの生成・分離・再結合を評価する、学外のテラへルツ分光、超高速分光の研究グループにも試料提供を行った。その際、実験の配置にあわせて、専用のpn接合構造や、テラヘルツ分光用バルク・量子井戸試料を設計・結晶成長し、電極構造の設計・プロセスを行った。半導体レーザーについては、端面への電子ビーム蒸着法による酸化シリコンと酸化チタンの多層膜高反射コートの設計と作製を行った。さらに顕微反射分光法用いて、絶対反射率スペクトルの空間分布評価を行った。これらの試料を研究室内の大学院生に提供し、半導体レーザーの短パルス発生限界の物理、低次元性効果の評価、低しきい値の限界を決める物理などの研究を進めた
英文摘要
MBE成長装置のオープン・メンテナンス作業を行い、MBEチャンバー内の清掃、クライオポンプのメンテナンス、材料チャージ、リードスクリーン更新、n型とp型のドープ制御のための自家製のフィラメント型ドーパントセルの改良を前年度末に終えたので、H27年度にそれらを用いて、光励起短パルス発生用半導体レーザー、高効率太陽電池デバイスの結晶成長を行った。太陽電池については、表面反射率の制御のため、理論計算設計と電子ビーム蒸着法による誘電体減反射コーティング膜の作製、評価を行った。単一pn接合太陽電池を用いて太陽電池効率を決定的に支配する非輻射再接合速度の分離選択的な評価測定の実験を進めた。光励起キャリアの生成・分離・再結合を評価する、学外のテラへルツ分光、超高速分光の研究グループにも試料提供を行った。その際、実験の配置にあわせて、専用のpn接合構造や、テラヘルツ分光用バルク・量子井戸試料を設計・結晶成長し、電極構造の設計・プロセスを行った。半導体レーザーについては、端面への電子ビーム蒸着法による酸化シリコンと酸化チタンの多層膜高反射コートの設計と作製を行った。さらに顕微反射分光法用いて、絶対反射率スペクトルの空間分布評価を行った。これらの試料を研究室内の大学院生に提供し、半導体レーザーの短パルス発生限界の物理、低次元性効果の評価、低しきい値の限界を決める物理などの研究を進めた
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1109/pvsc.2016.7749812
发表时间: 2016-06
期刊: 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子: --
作者: [Lin Zhu;M. Yoshita;Tetsuya Nakamura;T. Mochizuki;Changsu Kim;M. Imaizumi;Y. Kanemitsu;H. Akiyama]
通讯作者: Lin Zhu;M. Yoshita;Tetsuya Nakamura;T. Mochizuki;Changsu Kim;M. Imaizumi;Y. Kanemitsu;H. Akiyama
Accuracy of internal-voltage evaluations in multi-junction solar cells via electroluminescence
通过电致发光评估多结太阳能电池内部电压的准确性
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [Hidefumi Akiyama, Lin Zhu, Masahiro Yoshita, Changsu Kim, Toshimitsu Mochizuki, Shaoqiang Chen, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, and Yoshihiko Kanemitsu]
通讯作者: and Yoshihiko Kanemitsu
量子井戸キャリア密度の空間的な揺らぎの定量測定
量子阱载流子密度空间涨落的定量测量
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [中前秀一, 中村考宏, 伊藤隆, 望月敏光, 金昌秀, 吉田正裕, 秋山英文, Loren N. Pfeiffer, Ken W. West]
通讯作者: Ken W. West
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [伊藤隆, 中前秀一, 中村考宏, 挾間優治, 金昌秀, 小林洋平, 吉田正裕, 秋山英文]
通讯作者: 秋山英文
共 55 条
    電流注入レーザーの極端非線形利得スイッチによる光子寿命限界を破る短パルス発生
    • 批准号:
      24K00919
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.81万
    • 财政年份:
      2024
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    電流注入利得スイッチレーザー活性層の限界駆動高速非線形性とその電気的制御
    • 批准号:
      21H01361
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.48万
    • 财政年份:
      2021
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    利得スイッチングによる半導体量子構造レーザからの短光パルス発生
    • 批准号:
      10F00374
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.34万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    クリーン量子井戸及び量子細線半導体レーザーにおける次元性とキャリア間相互作用
    • 批准号:
      09F09283
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.34万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      秋山 英文
    • 依托单位:
    海外基金