利得スイッチングによる半導体量子構造レーザからの短光パルス発生

使用增益切换从半导体量子结构激光器生成短光脉冲

• 批准号: 10F00374
• 负责人: 秋山 英文
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10F00374/
• 关键词: 薄膜・量子構造; 利得スイッチング; 高速応答; 量子細線; 量子井戸; 半導体レーザ; 時間分解; 利得スイッチ

ファブリペロー型InGaAs量子井戸レーザ、ファブリペロー型GaAs量子井戸レーザ、VCSEL型InGaN量子井戸レーザのパルス光励起による利得スイッチング計測の室温実験を行った。高感度・高速のフォトダイオード検出器、高速オシロスコープに加え、さらに時間分解能の高い、ストリークカメラ計測や、カーゲート計測、オートコリレーション計測を適用し、利得飽和効果を含む非線型利得モデルを用いたレート方程式シミュレーションを行い、実験データの解釈を定量的に行った。高速光通信用の1550nm波長帯InGaAsP系DFB単一モードレーザダイオードを、高速電気パルサーとアンプを用いて電流励起し、利得スイッチングにより高速パルスを発生する実験を行った。エルビウムドープ光ファイバ光増幅器およびエッジフィルタ・バンドパスフィルタを用いて、スペクトルスライスによる短パルス発生の実験を行い、論文発表を行った。100周期T型量子細線構造試料の発光励起スペクトル測定結果について、隣接した量子井戸の励起子イオン化状態に対応する連続吸収状態吸収強度を吸収強度の標準として用いることにより、1次元励起子の吸収断面積を定量評価することに成功し、ここから励起子固有輻射寿命を得て、独立評価した励起子の蛍光寿命の温度依存性計測により得た励起子固有輻射寿命の導出とのコンシステンシーを見出した。これらを通じて、1次元励起子に関するアインシュタインのA-B係数関係についての基礎理論の構築を達成し、論文投稿を行った。

The temperature measurement of semiconductor devices is performed by optical excitation of semiconductor devices such as GaAs quantum wells, GaAs quantum wells, and VCSEL quantum wells. High Sensitivity, High Speed, High Speed InGaAsP-based DFB for high-speed optical communications in the 1550nm wavelength band is used for high-speed optical communications. In addition to the above, it is also necessary to carry out the research on the development of optical amplifier and optical amplifier in order to improve the quality of optical communication. The measurement results of the optical excitation of the 100-period T-shaped quantum fine wire structure sample show that the excitation state of the adjacent quantum well is related to the absorption state, the absorption intensity is related to the absorption intensity, and the standard of the absorption intensity is related to the quantitative evaluation of the absorption cross-section area of the one-dimensional excitation. The temperature dependence measurement of the excitation lifetime was evaluated independently, and the intrinsic radiation lifetime of the excitation was derived and the temperature dependence was observed. The basic theory of the A-B coefficient relationship between the first and second dimension excitation factors is established and the paper is submitted.

项目成果

GaAs T型量子細線における励起子の高Rydberg状態の観測

GaAs T型量子线中激子高里德伯态的观察

• 发表时间: 2011
• 作者: 岡野真人;吉田正裕;陳少強;望月敏光;秋山英文;金光義彦;Loren Pfeiffer;Ken West
• 通讯作者: Ken West

Absolute strength of 1D exciton transitions in cleaved-edge-overgrown GaAs quantum wires

解理边缘过度生长的 GaAs 量子线中一维激子跃迁的绝对强度

• 发表时间: 2011
• 作者: Shaoqiang Chen;et al
• 通讯作者: et al

T-shaped GaAs/AlGaAs Single Quantum Wire Laser by Arm-arm Current-Injection

臂臂电流注入T形GaAs/AlGaAs单量子线激光器

• 发表时间: 2011
• 作者: KIM Changsu;OKANO Makoto;MOCHIZUKI Toshimitsu;YOSHITA Masahiro;CHEN Shaoqiang;AKIYAMA Hidefumi;PFEIFFER Loren N.;WEST Ken W.
• 通讯作者: WEST Ken W.

Magneto-photoluminescence excitation spectroscopy in T-shaped GaAs quantum wires

T 形 GaAs 量子线中的磁光致发光激发光谱

• 发表时间: 2012
• 作者: Makoto Okano;Yoshihiko Kanemitsu;Shaoqiang Chen;Toshimitsu Mochizuki;Masahiro Yoshita;Hidefumi Akiyama;Loren. N. Pfeiffer;Ken. W. West
• 通讯作者: Ken. W. West

半導体レーザーの利得スイッチングにおける非平衡キャリアによる光学利得

半导体激光器增益切换中载流子不平衡导致的光学增益

• 发表时间: 2012
• 作者: 伊藤隆;陳少強;吉田正裕;福田圭介;望月敏光;金昌秀;丸山俊;秋山英文;L.N.Pfeiffer A;K.W.West A
• 通讯作者: K.W.West A