In-situ Kontrolle molekülspezifischer Reaktionen bei der Abscheidung von InGaP-Quantentopf- und -Nanostrukturen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie

金属有机气相外延中 InGaP 量子阱和纳米结构沉积过程中分子特异性反应的原位控制

• 批准号: 5293332
• 负责人: Dr. Sven Bernhard Visbeck
• 金额: --
• 依托单位: Department of Chemical and Biomolecular Engineering
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Fellowships
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5293332?language=en
• 关键词: situ; Kontrolle; molek; lspezifischer; Reaktionen

Dieses Projekt untersucht das Wachstum von InGaP auf unterschiedlichen Substraten und als Cluster bzw. Teilchen in der Gasphase mit dem Ziel der Verbesserung der Grenzflächeneigenschaften hetero-epitaktisch gewachsener Halbleiterstrukturen. Im Mittelpunkt steht hierbei die Rolle der chemischen Zusammensetzung bzw. der Struktur der Substrat-Oberflächen für die Anordnung der Atome bzw. Cluster während des Wachstums. Hierbei sollen sowohl die Standard-MOCVD-Abscheidung, als auch der sog. Atomic Layer Epitaxy-Prozeß (ALE) verwendet werden. InGaP soll auf chemisch aktiven GaAs(100)-Wafern, chemisch nahezu inaktiven van der Waals-Schichtgitterverbindungen, wie GaSe-Substraten, und in der Gasphase abgeschieden werden. Die Proben können in einem integrierten Wachstums-/UHV-Analysesystem mit folgenden Methoden untersucht werden: Infrarot-Spektroskopie (IR), Raster-Tunnel-Mikroskopie (STM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS). Alle diese Methoden sollen mit ReflexionsAnisotropie-Spektroskopie (RAS) kombiniert werden, die als optische Methode nicht nur im UHV, sondern auch in situ in der Gasphasenumgebung des Reaktors eingesetzt werden kann.

Wachstum von InGaP auf unterschiedlicten substrten and ALS CLUSTER BZW.Teilchen in der气相MIT DEM der Verbeserung der Grizflächeneigenschaften异质外延Gewachsener Halbleiterstrukturen.我是Mittelpenkt，我是Zusammensetzung Bzw.der Strukturder衬底-OberfläChen für die Anordnung der at ome BZW.CLUSTER Während des Wachstum的化学家。德国索伦索沃尔模具标准-MOCVD-Abscheidung，也适用于SOG。原子层外延-外延(ALE)。InGaP固溶体化学制备了GaAs(100)-晶片，化学成分为van der Waals-SchichtgitterVerbindungen，Wie Gase-Substrten，以及Der-Gas相的非晶态。Wachstum-/UHV-Analyessystem MIT Folgenden Metroskopie(IR)，Raster-Tunes-Mikroskopie(STM)and Röntgen-PhotoElectrktronenSpektroskopie(XPS)。所有的方法都反映了各向异性(RAS)kombiniert，这是一种最好的方法，在那里我们可以在原位找到这样的东西。