In-situ Kontrolle molekülspezifischer Reaktionen bei der Abscheidung von InGaP-Quantentopf- und -Nanostrukturen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie

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Dieses Projekt untersucht das Wachstum von InGaP auf unterschiedlichen Substraten und als Cluster bzw. Teilchen in der Gasphase mit dem Ziel der Verbesserung der Grenzflächeneigenschaften hetero-epitaktisch gewachsener Halbleiterstrukturen. Im Mittelpunkt steht hierbei die Rolle der chemischen Zusammensetzung bzw. der Struktur der Substrat-Oberflächen für die Anordnung der Atome bzw. Cluster während des Wachstums. Hierbei sollen sowohl die Standard-MOCVD-Abscheidung, als auch der sog. Atomic Layer Epitaxy-Prozeß (ALE) verwendet werden. InGaP soll auf chemisch aktiven GaAs(100)-Wafern, chemisch nahezu inaktiven van der Waals-Schichtgitterverbindungen, wie GaSe-Substraten, und in der Gasphase abgeschieden werden. Die Proben können in einem integrierten Wachstums-/UHV-Analysesystem mit folgenden Methoden untersucht werden: Infrarot-Spektroskopie (IR), Raster-Tunnel-Mikroskopie (STM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS). Alle diese Methoden sollen mit ReflexionsAnisotropie-Spektroskopie (RAS) kombiniert werden, die als optische Methode nicht nur im UHV, sondern auch in situ in der Gasphasenumgebung des Reaktors eingesetzt werden kann.