Transversal integrierte abstimmbare Laserdioden

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Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung und Charakterisierung transversal integrierter elektronisch abstimmbarer Laserdioden im Wellenlängenbereich um 1.55µm, wobei die spektralen und dynamischen Laserparameter durch den Einsatz neuartiger Abstimmzonen verbessert werden sollen. Mittels räumlich indirekter Quantentopf-Strukturen in der Abstimmzone sollen Rekombination und Wärmeerzeugung unterdrückt werden, um damit maximale Abstimmung und minimale Linienverbreitung zu erzielen. Andererseits soll geklärt werden, inwieweit sich durch die alternative Integration eines QCSE (Quantum Confined Stark Effect) Modulators neben einer hohen FM-Bandbreite der bislang noch sehr geringe Abstimmwirkungsgrade der QCSE-basierten Laser steigern läßt. Neben zug-/druckverspannten InGaAsP-Typ-II-Superlattices sind vor allem antimonbasierte Typ-II-Superlattices mit ihren wesentlich größeren Bandoffsets (300 meV gegenüber 100 meV in zug-/druckverspannten InGaAsP/InP) als Abstimmzone von Interesse. Mit diesen hohen Bandoffsets kann ich Rekombination und die dadurch bedingte `parasitäre` Wärmeerzeugung in Typ-II-Übergittern theoretisch fast vollständig beseitigt werden, womit sich transversal integrierte abstimmbare Laserdioden mit nahezu idealer Abstimmcharakteristik realisieren ließen.