Transversal integrierte abstimmbare Laserdioden

ZIIL DES Forschungsvorhabens ist die Entwickump and Charakterisierung横向积分器Laserdioden im Wellenlängenbereich um 1.55微米，Wabbebe die Spektralen and Dynamischen Laserchen参数dch den einatz neuartiger Abstimm zonen veressert den Sollen。从最大限度的抽象到最小限度的最大限度的抽象和最小程度的抽象和最小程度的抽象。量子受限斯塔克效应(Quantum Confined Stark Effect)调制器是量子受限斯塔克效应(Quantum Constraint Stark Effect，QCSE)调制器的一种，它的调制器是一种基于QCSE激光的调制器(300MEV Genü100MEV in Zug/druckverspten InGaAsp/Inp)。Neben Zug-/druckverspannten InGaAsP-Typ-II-超晶格Sind vor allem antimonbasierte Typ-II-超晶格mit wentlich genü100 mev in Zug-druckverspannten InGaAsp/Inp)Als Abstimmvon Interesse。麻省理工学院在第二类--《理论》中提出了一种新的方法和一种新的整合法，它是一种理想的横向集成方法。

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung und Charakterisierung transversal integrierter elektronisch abstimmbarer Laserdioden im Wellenlängenbereich um 1.55µm, wobei die spektralen und dynamischen Laserparameter durch den Einsatz neuartiger Abstimmzonen verbessert werden sollen. Mittels räumlich indirekter Quantentopf-Strukturen in der Abstimmzone sollen Rekombination und Wärmeerzeugung unterdrückt werden, um damit maximale Abstimmung und minimale Linienverbreitung zu erzielen. Andererseits soll geklärt werden, inwieweit sich durch die alternative Integration eines QCSE (Quantum Confined Stark Effect) Modulators neben einer hohen FM-Bandbreite der bislang noch sehr geringe Abstimmwirkungsgrade der QCSE-basierten Laser steigern läßt. Neben zug-/druckverspannten InGaAsP-Typ-II-Superlattices sind vor allem antimonbasierte Typ-II-Superlattices mit ihren wesentlich größeren Bandoffsets (300 meV gegenüber 100 meV in zug-/druckverspannten InGaAsP/InP) als Abstimmzone von Interesse. Mit diesen hohen Bandoffsets kann ich Rekombination und die dadurch bedingte `parasitäre` Wärmeerzeugung in Typ-II-Übergittern theoretisch fast vollständig beseitigt werden, womit sich transversal integrierte abstimmbare Laserdioden mit nahezu idealer Abstimmcharakteristik realisieren ließen.