Transversal integrierte abstimmbare Laserdioden

横向集成可调谐激光二极管

• 批准号: 5294896
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Markus-Christian Amann (†)
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Halbleitertechnologie (HLT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5294896?language=en
• 关键词: Transversal; integrierte; abstimmbare; Laserdioden

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung und Charakterisierung transversal integrierter elektronisch abstimmbarer Laserdioden im Wellenlängenbereich um 1.55µm, wobei die spektralen und dynamischen Laserparameter durch den Einsatz neuartiger Abstimmzonen verbessert werden sollen. Mittels räumlich indirekter Quantentopf-Strukturen in der Abstimmzone sollen Rekombination und Wärmeerzeugung unterdrückt werden, um damit maximale Abstimmung und minimale Linienverbreitung zu erzielen. Andererseits soll geklärt werden, inwieweit sich durch die alternative Integration eines QCSE (Quantum Confined Stark Effect) Modulators neben einer hohen FM-Bandbreite der bislang noch sehr geringe Abstimmwirkungsgrade der QCSE-basierten Laser steigern läßt. Neben zug-/druckverspannten InGaAsP-Typ-II-Superlattices sind vor allem antimonbasierte Typ-II-Superlattices mit ihren wesentlich größeren Bandoffsets (300 meV gegenüber 100 meV in zug-/druckverspannten InGaAsP/InP) als Abstimmzone von Interesse. Mit diesen hohen Bandoffsets kann ich Rekombination und die dadurch bedingte `parasitäre` Wärmeerzeugung in Typ-II-Übergittern theoretisch fast vollständig beseitigt werden, womit sich transversal integrierte abstimmbare Laserdioden mit nahezu idealer Abstimmcharakteristik realisieren ließen.

Ziel des forschungsvohabens ist die Entwicklung and Charakterisierung横向积分器电子激光器激光器在Wellenlängenbereich um 1.55 μ m，其中模具光谱和动力学激光参数为Einsatz neutigerabstimzonen verbessert solden。Mittels räumlich间接定量结构在der abstimzone sollen recombination和Wärmeerzeugung underdr<s:1> ckt werden， um damit maximale abstiming和minimale Linienverbreitung zuerzielen。本文介绍了一种基于量子约束斯塔克效应（QCSE）调制器件的量子约束斯塔克效应（QCSE）调制器件的研究进展，并提出了一种基于量子约束斯塔克效应（QCSE）调制器件的量子约束斯塔克效应调制器件的设计方法läßt。Neben zug-/druckverspannten InGaAsP- type - ii - superlattice sind - allem antimonbasierte - type - ii - superlattice mit ihren wesentlich größeren Bandoffsets (300 meV gegen<s:1> ber 100 meV in zug-/druckverspannten InGaAsP/InP) als Abstimmzone von Interesse。本文提出了基于“parasitäre”Wärmeerzeugung中type - ii型理论的宽带组合和基于“fast vollständig”的宽带组合，基于“fast vollständig”理论的宽带组合，基于“fast vollständig”理论的宽带组合，基于“fast vollständig”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合，基于“fast”理论的宽带组合。