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Ionen-/Atomstrahl-gestützte Synthese von epitaktischen Galliumnitrid-Schichten

离子/原子束辅助合成外延氮化镓层

基本信息

批准号：
5295290
负责人：
Professor Dr. Bernd Rauschenbach
金额：
--
依托单位：
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. (IOM)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
1996
资助国家：
德国
起止时间：
1995-12-31 至 2001-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5295290?language=en
关键词：
Ionen Atomstrahl gest tzte Synthese

项目摘要

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, epitaktische Galliumnitrid-Schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittels des Verfahrens der Ionenstrahl-unterstützten Deposition unter Anwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen. Insbesondere soll einerseits, aufbauend auf den ersten Ergebnissen, das Herstellungsverfahren in Abhängigkeit von den Depositions- und Bestrahlungsparametern optimiert werden und andererseits die physikalischen Grundprozesse bei der ionengestützten Synthese der GaN-Schichten untersucht werden. Insbesondere soll die Phasenselektion und Texturmanipulation bei der Ionenbestrahlung sowie die Ionenstrahl-unterstützte Epitaxie analysiert werden.

Ziel des Forschungsvorhabens ist es， epitaktische镓氮化镓- schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittelels des Verfahrens der ionenstrahl - unterst<s:1> tzten Deposition unwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen。2 . Insbesondere soll einterseits, aufbauend aufenden Ergebnissen， das Herstellungsverfahren在Abhängigkeit von沉积- und bestrahluns参数优化- und undererseits die physikalischen Grundprozesse bederionengest<s:1>合成- schichten untersucht werden。inbesondere soll die相位选择和纹理处理beder Ionenbestrahlung sowie die ionenstral - unterst<s:1>外延分析器werden。