Ionen-/Atomstrahl-gestützte Synthese von epitaktischen Galliumnitrid-Schichten

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Ziel des Forschungsvorhabens ist es, epitaktische Galliumnitrid-Schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittels des Verfahrens der Ionenstrahl-unterstützten Deposition unter Anwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen. Insbesondere soll einerseits, aufbauend auf den ersten Ergebnissen, das Herstellungsverfahren in Abhängigkeit von den Depositions- und Bestrahlungsparametern optimiert werden und andererseits die physikalischen Grundprozesse bei der ionengestützten Synthese der GaN-Schichten untersucht werden. Insbesondere soll die Phasenselektion und Texturmanipulation bei der Ionenbestrahlung sowie die Ionenstrahl-unterstützte Epitaxie analysiert werden.