Ionen-/Atomstrahl-gestützte Synthese von epitaktischen Galliumnitrid-Schichten

Ziel des Forschungsvorhabens ist es， epitaktische镓氮化镓- schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittelels des Verfahrens der ionenstrahl - unterst<s:1> tzten Deposition unwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen。2 . Insbesondere soll einterseits, aufbauend aufenden Ergebnissen， das Herstellungsverfahren在Abhängigkeit von沉积- und bestrahluns参数优化- und undererseits die physikalischen Grundprozesse bederionengest<s:1>合成- schichten untersucht werden。inbesondere soll die相位选择和纹理处理beder Ionenbestrahlung sowie die ionenstral - unterst<s:1>外延分析器werden。

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, epitaktische Galliumnitrid-Schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittels des Verfahrens der Ionenstrahl-unterstützten Deposition unter Anwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen. Insbesondere soll einerseits, aufbauend auf den ersten Ergebnissen, das Herstellungsverfahren in Abhängigkeit von den Depositions- und Bestrahlungsparametern optimiert werden und andererseits die physikalischen Grundprozesse bei der ionengestützten Synthese der GaN-Schichten untersucht werden. Insbesondere soll die Phasenselektion und Texturmanipulation bei der Ionenbestrahlung sowie die Ionenstrahl-unterstützte Epitaxie analysiert werden.