Dotierung von Galliumnitrid durch Ionenimplantation

通过离子注入掺杂氮化镓

• 批准号: 5369915
• 负责人: Professor Dr. Bernd Rauschenbach
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. (IOM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2000-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5369915?language=en
• 关键词: Dotierung; von; Galliumnitrid; durch; Ionenimplantation

Das Forschungsvorhaben hat das Ziel, die optimalen Bedingungen für die p- und n-Dotierung von GaN-Schichten durch Ionenimplantation und thermischer Nachbehandlung, als Voraussetzung für die Realisierung von elektronischen Bauelementen, zu untersuchen. Parallel erfolgen Untersuchungen zur Separation leitfähiger Bereiche durch Implantation von Helium- bzw. Wasserstoffionen. Es erfolgt eine Konzentration auf die Implantation von Ca- und Mg-Ionen für die p-Dotierung beziehungsweise auf Si- und O-Ionen für die n-Dotierung. Schwerpunkt wird die Reduzierung der bestrahlungsinduzierten Defekte an Ausgangsmaterialien mit möglichst geringer intrinsischer Hintergrundkonzentration sein. Die in der ersten Antragsperiode gewonnenen Bedingungen für die Implantation und insbesondere für die thermische Nachbehandlung werden für die optimale Gestaltung der Dotierung lokaler Bereiche eingesetzt. Letztlich wird angestrebt die physikalischen Zusammenhänge zwischen Dotierung, Defektbildung, thermischer Behandlung und den elektrischen und optischen Eigenschaften aufzuklären, für prognostizierte Anwendungen zu nutzen und reproduzierbar zu gestalten.

Das Forschungsvorhaben hat das Ziel，die optimalen Bedingungen für die p- und n-Dotierung von GaN-Schichten durch Ionenimplantation und Thermischer Nachbehandlung，als Voraussetzung für die Realisierung von elektronischen Bauelementen，zu untersuchen.通过氦- bzw的注入实现分离的平行实验。Wasserstofionen。Es erfolgt eine Konzentration auf die Implantation von Ca- und Mg-Ionen für die p-Dotierung beziehungsweise auf Si- und O-Ionen für die n-Dotierung. Schwerpunkt将减少对Ausgangsmaterialien的最大伤害，其中包括Hintergrundkonzentration。Die in der ersten Antragsperiode gewonnenen Bedingungen für die Implantation and insbesondere für die thermische Nachbehandlung韦尔登für die optimale Gestaltung der Dotierung lokaler Bereiche eingesetzt. Letztlich wird angestrebt die physikalischen Zusammenhänge zwischen Dotierung，Defektbildung，thermischer Behandlung und den elektrischen und optischen Eigenschaften aufzuklären，für pastizierte Anwendungen zu nutzen und reproduzierbar zu gestalten.