Zweidimensionale physikalische Simulation von InP-basierten Single-(S-) und Double-(D-) Heterostruktur-Bipolartransistoren

本文用物理二维有限元模拟程序研究了磷化铟（InP）上的异质结双极晶体管（HBT）。因此，所有相关技术的效果都与自由上表面的测量一样，Stromkanälen的温度测量过程也会产生韦尔登。这些项目都是系统化的建筑结构，它们都是在侧面进行的。最佳的设计。Die gewonnenen Erkenntnisse sollen als allgemeingültige Entwurfsgrundlage（Design-Rules）zur Herstellung von höchstfrequenztauglichen HBT dienen. Ausgeführt韦尔登alle simulationtechnischen Untersuchungen mit Hilfe eines kommerziell erhältlichen Software-Paketes，bei dem die für III-V-Halbleiter relevanten physicalischen Model erarbeitet韦尔登müssen，so dahead die erzielten Simulationsergebnisse mit Meßergebnissen von realen Bauelementen überestimmen.

Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens sollen Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) auf Indiumphosphid (InP) mit Hilfe eines physikalischen zweidimensionalen Bauelementsimulationsprogramms untersucht werden. Hierbei sollen alle relevanten Technologieeffekte wie beispielsweise die Verarmung freier Oberflächen, ätzprozessbedingte Verengung von Stromkanälen sowie Temperatureffekte berücksichtigt werden. Ziel des Projektes ist es, systematisch Bauelementstrukturen zu finden, die sowohl in bezug auf das laterale als auch bzgl. des Schichtdesigns optimiert sind. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen als allgemeingültige Entwurfsgrundlage (Design-Rules) zur Herstellung von höchstfrequenztauglichen HBTs dienen. Ausgeführt werden alle simulationstechnischen Untersuchungen mit Hilfe eines kommerziell erhältlichen Software-Paketes, bei dem die für III-V-Halbleiter relevanten physikalischen Modellparameter erarbeitet werden müssen, so daß die erzielten Simulationsergebnisse mit Meßergebnissen von realen Bauelementen übereinstimmen.