Germaniumnanokristalle in Siliziumdioxidschichten: strukturelle und physikalische Eigenschaften

二氧化硅层中的锗纳米晶体：结构和物理特性

• 批准号: 60413147
• 负责人: Professor Dr. Hartmut Bracht
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Materialphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/60413147?language=en
• 关键词: Germaniumnanokristalle; Siliziumdioxidschichten; strukturelle; und; physikalische

Germaniumnanokristalle (Ge-NC) in Siliziumdioxid sind als Speichereinheiten in Flash-Speichern und als potenzielle effiziente Lichtquellen für optoelektronische Anwendungen von großem technologischem Interesse. Unsere Arbeiten zeigen, dass Ge NC in Siliziumdioxidschichten über ein nasschemisches Sol-Gel Verfahren synthetisiert werden können. Die Ergebnisse zur Bildung und zum Wachstum der Ge Ausscheidungen zeigen, dass die Struktur, Größe und Verteilung der Ge NC in einer Siliziumdioxidschicht variiert werden können. Makroskopische und lokale Kapazitätsmessungen belegen die Be- und Entladung einer Metal-Oxid-Halbleiter (MOS) Struktur mit Ge NC. Nach diesen Ergebnissen sind weitere systematische Untersuchungen geplant, um den Zusammenhang zwischen den makroskopischen funktionalen Eigenschaften und den mikroskopischen Merkmalen von SiO2 Schichten mit Ge NC zu verstehen. Um Informationen über die Ladungskonzentrationen, Grenzflächenzustandsdichten und Ladungsretentionszeiten zu erhalten, werden frequenz- und temperaturabhängige Kapazitäts- und Leitwert-Spannungs-Messungen (C-V, GV) an MOS-Strukturen durchgeführt. Zusätzliche sind Untersuchungen mit Constant Capacitance Deep Level Transient Spectroscopy (CC-DLTS), Internal Photoemission (IPE) und Photolumineszenz in Kooperation mit auswärtigen Arbeitsgruppen vorgesehen.

二氧化硅中的锗纳米晶(Ge-NC)以及闪光技术中的纳米晶(Ge-NC)。在二氧化硅化学合成过程中，我们发现了一种新型的溶胶-凝胶合成方法。他说：“这是一件非常重要的事情，我们不能不去做。”Makroskopische and lokale Kapazitätsmessungen Belegen be-and Entladung einer Meta-Oxid-Halbleiter(MOS)Strukur MIT GE NC.这是一项系统化的工程，这项工程的主要目的是为了更好地满足人们的需求。这是一种信息，它的频率和温度都很高，这是一种MOS-Strukturen(C-V，GV)和MOS-Strukturen(GV)。Zusätzliche Sind Untersusuhungen MIT恒容深能级瞬变光谱(CC-DLTS)、内部光电发射(IPE)和光致发光(IPE)在日本麻省理工学院的应用。

项目成果

Structural and electrical properties of sol–gel derived Ge nanocrystals in SiO2 films

• DOI: 10.1007/s00339-010-6156-4
• 发表时间: 2011-04
• 期刊: Applied Physics A
• 作者: S. Knebel;A. Kyriakidou;H. Bracht;H. Rösner;G. Wilde

Light absorption in Ge nanoclusters embedded in SiO2: comparison between magnetron sputtering and sol–gel synthesis

嵌入 SiO2 中的 Ge 纳米团簇的光吸收：磁控溅射和 solâgel 合成之间的比较

• DOI: 10.1007/s00339-013-8101-9
• 发表时间: 2013
• 期刊: Applied Physics A
• 作者: Cosentino;Knebel;Mirabella;Gibilisco;Simone;Bracht;Terrasi
• 通讯作者: Terrasi