Germaniumnanokristalle in Siliziumdioxidschichten: strukturelle und physikalische Eigenschaften

二氧化硅中的锗纳米晶（Ge-NC）在Flash Speichern中具有特殊的应用价值，并具有光电子应用的潜力。我们的工作是在二氧化硅中加入Ge NC，然后用溶胶-凝胶法合成韦尔登。Ge NC在二氧化硅中的结构、Größe和Verteilung在不同的韦尔登中进行培养和测试。Makroskopische和本地Kapazitätsmessungen belegen die- und Entladung einer Metal-Oxid-Halbleiter（MOS）Struktur mit Ge NC.在此基础上，我们进行了更系统的研究，并对SiO2 Schichten和Ge NC Schichten的微结构进行了性能测试和微结构分析。Um Informationen über die Ladungskonzentrationen，Grenzflächenzustandsstampten und Ladungsretentionszeiten zu erhalten，韦尔登frequenz- und temperaturabhängige Kapazitäts- und Leitwert-Spannungs-Messungen（C-V，GV）an MOS-Strukturen durchgeführt.在与其他工作组的合作中，利用恒电容深能级瞬态谱（CC-DLTS）、内光电发射（IPE）和光致发光（Photolumineszenz）进行测量。

Germaniumnanokristalle (Ge-NC) in Siliziumdioxid sind als Speichereinheiten in Flash-Speichern und als potenzielle effiziente Lichtquellen für optoelektronische Anwendungen von großem technologischem Interesse. Unsere Arbeiten zeigen, dass Ge NC in Siliziumdioxidschichten über ein nasschemisches Sol-Gel Verfahren synthetisiert werden können. Die Ergebnisse zur Bildung und zum Wachstum der Ge Ausscheidungen zeigen, dass die Struktur, Größe und Verteilung der Ge NC in einer Siliziumdioxidschicht variiert werden können. Makroskopische und lokale Kapazitätsmessungen belegen die Be- und Entladung einer Metal-Oxid-Halbleiter (MOS) Struktur mit Ge NC. Nach diesen Ergebnissen sind weitere systematische Untersuchungen geplant, um den Zusammenhang zwischen den makroskopischen funktionalen Eigenschaften und den mikroskopischen Merkmalen von SiO2 Schichten mit Ge NC zu verstehen. Um Informationen über die Ladungskonzentrationen, Grenzflächenzustandsdichten und Ladungsretentionszeiten zu erhalten, werden frequenz- und temperaturabhängige Kapazitäts- und Leitwert-Spannungs-Messungen (C-V, GV) an MOS-Strukturen durchgeführt. Zusätzliche sind Untersuchungen mit Constant Capacitance Deep Level Transient Spectroscopy (CC-DLTS), Internal Photoemission (IPE) und Photolumineszenz in Kooperation mit auswärtigen Arbeitsgruppen vorgesehen.