ナノデバイスの高速電気応答に関する研究

纳米器件高速电响应研究

• 批准号: 12875018
• 负责人: 石橋 幸治
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: The Institute of Physical and Chemical Research
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12875018/
• 关键词: カーボンナノチューブ; 量子ドット; 結合量子ドット; マイクロ波応答; クローンブロッケード; 共鳴トンネル; 高速時間応答; 光伝導サンプリング素子; 櫛形電極; ポンプ・プローブ法

希釈冷凍機に装着したナノデバイスに対して、50GHz程度までの高周波に対する直流応答測定システムを完成し、カーボンナノチューブ量子ドットに対してその高周波応答を測定した。量子ドットのDC特性から、単一電子に対する帯電エネルギーやゼロ次元離散準位間隔が、ナノチューブの微細性を反映して電子ビームリソグラフィーを用いて作製した量子ドットよりも1桁以上大きくなることを見いだした。また、単一量子ドット上に微細なSiO2を形成することにより、1個の量子ドットを結合した2個の量子ドットに分けることを可能にし、2重結合量子ドットの形成に成功した。このような2重結合量子ドットで、各量子ドットに形成されたゼロ次元離散準位間の共鳴トンネルによる負性微分抵抗、2重結合量子ドットに特有のクーロンブロッケード特性であるストカステッククーロンブロッケード効果を観測した。2重結合量子ドットに対して100mK以下の極低温においてマイクロ波を印可し、そのDC特性を測定した。その結果、マイクロ波を印可する電流電圧特性が原点側にシフトすること(クーロンギャップが小さくなる)、マイクロ波強度を変えたクーロン振動が、マイクロ波を印可しない時のクーロン振動のバイアス電圧依存性に似ていることを見いだした。このような結果は、マイクロ波振動電界が実効的にバイアス電圧に重畳された効果として定性的に理解できる。この場合、量子ドット内電子の(ドット内での)平均滞在時間がマイクロ波の周期よりも長い、すなわち非断熱領域にあり、温度もマイクロ波周波数よりも小さいにも関わらず、特性が周波数に依存しない古典応答を示していることがわかった。このことを理解するためには、閉じこめ準位のエネルギー幅と周波数の大小関係を明らかにする必要がある。

The cold machine is equipped with high-frequency transmission equipment, high-frequency measurement, high-frequency measurement, high-frequency The properties of the DC are sensitive, the dispersion of the dimensions is separated, and the characteristics reflect that the electronic devices are used to improve the performance of the electronic devices. One quantum sensor, one quantum SiO2, one quantum sensor, one quantum microphone, two quantum microphones. The two-fold combination of the quantum data sets and the quantum data sets forms the differential resistance of the two-dimensional data sets, and the two-fold combination of the quantum data sets has its own characteristics. The characteristics of the two-fold combination are different from each other. 2. Combine the quantum experiment to determine the characteristics of 100mK, such as extremely low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, low temperature, high temperature, low temperature, low temperature, high temperature, high The results show that the current and electronic characteristics can be detected at the origin of the current and electronic characteristics, and the dependence of the current and electrical properties on the reliability of the shock waves is similar to that of the shock waves. In terms of the results of the test, the results of the survey, the impact of the shock wave in the electrical industry and the financial situation in the industry, the radio and television stations have made a serious effort to improve the understanding of the nature of the results. The average time lag of internal electronic devices (internal devices) is long in time, temperature temperature, temperature, We understand that it is necessary to measure the amplitude, the number of waves, the size of the amplitude, the number of waves, the number of waves and the number of waves.

项目成果

K.Ishibashi, M.Suznki, T.Ida, Y.Aoyagi: "Formation of coupled quantum dots in single-wall carbon nanotubes"Applied Physics Letters. 79. 1864-1866 (2001)

K.Ishibashi、M.Suznki、T.Ida、Y.Aoyagi：“单壁碳纳米管中耦合量子点的形成”应用物理快报。

T.Risaki, T.Ida, K.Ishibashi, T.Sugano: "Coupling effects on the conductance fluctuations in GaAs/AlGaAs double quantum dots"Microelectronic Engineering. (掲載予定).

T.Risaki、T.Ida、K.Ishibashi、T.Sugano：“GaAs/AlGaAs 双量子点电导波动的耦合效应”微电子工程（待出版）。

K.Ishibashi, Y.Aoyagi: "Interaction of electromagnetic wave with quantum dots"Physica B. (掲載予定).

K.Ishibashi、Y.Aoyagi：“电磁波与量子点的相互作用”Physica B.（待出版）。

K.Ishibashi, M.Suznki, T.Ida, Y.Aoyagi: "Coupled quantum dots in single-wall carbon nanotubes"Physica E. (掲載予定).

K.Ishibashi、M.Suznki、T.Ida、Y.Aoyagi：“单壁碳纳米管中的耦合量子点”Physica E.（待出版）。