课题基金 / 基金详情

Nichtgleichgewichtsdynamik in elektronisch eindimensionalen Übergangsmetallverbindungen

Nichtgleichgewichtsdynamik in elektronisch eindimensionalen Übergangsmetallverbindungen
电子一维过渡金属化合物的非平衡动力学
批准号:
5308190
负责人:
Dr. Bernd Beschoten
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2003-12-31

项目摘要

项目成果

Dr. Bernd Beschoten的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Die mikroskopische Natur und die Relaxationsmechanismen von optisch induzierten Nichtgleichgewichtszuständen bei Ladungs- und Spinanregungen in ein- und zweidimensionalen Ladungsdichtewellensystemen soll untersucht werden. Durch optische EinfarbenPump/Probe-Spektroskopie wollen wir (1.) kollektive Ladungs- und Gitteranregungen (kohärente Phononen) durch zeitaufgelöste Messungen der Reflektivität und (2.) kohärente Spinanregungen durch zeitaufgelöste Kerr-Rotationsmessungen in der Nähe des Metall-Isolator-Übergangs von Ladungsdichtewellen-Systemen untersuchen. Die Kombination dieser Experimente wird insbesondere die Untersuchung der Separation von Ladungs- und Spinfreiheitsgraden in niedrigdimensionalen elektronischen Systemen sowie deren Auswirkungen auf die Natur des Phasenübergangs ermöglichen. Zusätzlich sollen temperaturabhängige Experimente zur Nichtgleichgewichtsdynamik der niederenergetischen kollektiven Anregungen des Ladungsdichtewellenkondensats nach resonanter ferninfraroter Anregung durchgeführt werden. In ZweifarbenPump/Probe-Experimenten werden dazu Amlituden- und Phasenmoden durch die intensive Strahlung des Free-Electron Lasers (FELIX, FOM Institut für Plasmaphysik, Rijnhuizen, Niederlande) angeregt. Die Relaxationsprozesse dieser Moden über niederenergetische Quasiteilchenanregungen werden in der Nähe der Einteilchenenergielücke am Phasenübergang untersucht und ihre Kopplungskonstanten bestimmt.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Novel device concepts for generating spin currents in graphene
Spin transport; quantum transport; new materials; topological insulators
Spin Caloritronics in III-V-Semiconductors
Coherent spin transport in III-V semiconductors
海外基金