直交磁気異方性クラスターの新機能

超高速・超低消費電力ヒューマン・インターフェース・デバイスを融合・複合化するためには、それぞれのデバイスの相互干渉を抑止する必要がある。本研究では、ヒューマン・インターフェース・デバイス間に設ける微小薄膜シールドの要素技術を構築することを目的とした。(1)厚さ100nmのNi-20at%Fe薄膜上に長さ8μm、幅1-4μm、厚さ200nmのFeドットからなるアレイを配列することにより、[Feドットアレイ/Ni-Fe薄膜]からなるシステム全体に磁気異方性を付与することができた。また、上記磁気異方性の大きさは、Feドットの長さと幅の比(アスペクト比)で制御することができた。(2)上記Feドットの間隔の最適値は0.5μmであることを明らかにした。間隔が0.5μmよりも狭い場合には、Feドット間の漏洩磁界を介した相互作用により磁気異方性は低下する。また、間隔が0.5μmよりも広い場合には、単位面積当たりのFeドット数が減少するために磁気異方性は低下することを見い出した。(3)Feドットの形状による磁気異方性および漏洩磁界を介したFeドット間の相互作用を考慮することにより、上記の[Feドットアレイ/Ni-Fe薄膜]からなるシステムにおける磁気異方性を計算することができた。(4)上記のFeドットアレイの磁気異方性の値より、Feドットアレイ中の磁気モーメントにおける強磁性共鳴周波数を計算し、最高で25GHzの周波数の電磁波を吸収する微小薄膜シールドの実現の可能性を見い出した。

超高速・超低消費電力ヒューマン・インターフェース・デバイスを融合・複合化するためには、それぞれのデバイスの相互干渉を抑止する必要がある。本研究では、ヒューマン・インターフェース・デバイス間に設ける微小薄膜シールドの要素技術を構築することを目的とした。(1)厚さ100nmのNi-20at%Fe薄膜上に長さ8μm、幅1-4μm、厚さ200nmのFeドットからなるアレイを配列することにより、[Feドットアレイ/Ni-Fe薄膜]からなるシステム全体に磁気異方性を付与することができた。また、上記磁気異方性の大きさは、Feドットの長さと幅の比(アスペクト比)で制御することができた。(2)上記Feドットの間隔の最適値は0.5μmであることを明らかにした。間隔が0.5μmよりも狭い場合には、Feドット間の漏洩磁界を介した相互作用により磁気異方性は低下する。また、間隔が0.5μmよりも広い場合には、単位面積当たりのFeドット数が減少するために磁気異方性は低下することを見い出した。(3)Feドットの形状による磁気異方性および漏洩磁界を介したFeドット間の相互作用を考慮することにより、上記の[Feドットアレイ/Ni-Fe薄膜]からなるシステムにおける磁気異方性を計算することができた。(4)上記のFeドットアレイの磁気異方性の値より、Feドットアレイ中の磁気モーメントにおける強磁性共鳴周波数を計算し、最高で25GHzの周波数の電磁波を吸収する微小薄膜シールドの実現の可能性を見い出した。