权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

基板制御いよる非平衡新物質相の創製と相変態

通过底物控制创建非平衡新材料相和相变

基本信息

批准号：
11123224
负责人：
山本雅彦
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.遷移金属系人工格子の創製とその磁性の研究強磁性遷移金属と非磁性貴金属とでなる人工格子を分子線蒸着(MBE)法で作製し,強磁性層に歪みを内包することに成功した.その結果,磁気異方性に優れた人工格子を作製することが出来た.強磁性層が薄いとき,人工格子は垂直磁気異方性を示した.2.軽希土類金属系人工格子の研究軽希土類金属は多くの水素を吸蔵する.この性質を利用して,Co/La多層膜に,水素をドープすることにより,LaをLaH_3に変えて,半導体化することに成功した.将来的には,スピントランジスター創製への期待が膨らんだ.3.X線分光素子用人工格子の研究x線分光素子として,自然界に存在しない周期をもつ人工格子が要望されている.この要望を達成するために,原子番号の大きな元素を反射層とし,原子番号の小さな元素をスペーサー層とした,極めて界面のシャープな結晶性に優れた多層膜・人工格子を作製することを試みた.Al/Pd系では,Al層厚さが0.4nmの場合,最初のAl/Pd層のみが(100)のエピタキシャル成長を示した.しかし,その後の層成長では,室温近傍の成長にもかかわらず,膜の構造はしだいに非晶質に変わっていった.とくに,この挙動は,Al層で顕著であった.また,Al層厚が0.8nmの場合は,最初のAl層から非品質となり,さらに成長を続けると,B2型Al-Pd金属間化合物の微細結晶が非晶質マトリックス中に形成されることがわかった.固相非晶質化は,種々の2元系で起こることが知られているが,ほとんどの場合,混合熱が絶対値の大きな負の値であること,原子半径の差が大きいことなどの条件が成立している.しかし,Al-Pt系など一部の系では,この条件が満たされていないにもかかわらず,イオン照射,低温加熱,冷間圧延等により固相非晶質化が起こることが報告されている.さらに本研究では,室温近傍の基板上において,分子線蒸着中にAl/Pd多層膜が固相非晶質化を起こすことを見出した.

1. A Study on the Creation of Artificial Lattices of Migrating Metals and Their Magnetic Properties Ferromagnetic Migrating Metals and Non-magnetic Noble Metals were successfully fabricated by Molecular Beam Vaporization (MBE) method. As a result, the magnetic anisotropy is excellent. 2. Study on the artificial lattice of rare earth-based metals. The properties of Co/La multilayer films were successfully used in the semiconductor process. 3. Research on artificial lattices for X-ray spectroscopic elements. The periodic period of X-ray spectroscopic elements exists in nature. The important thing to do is to make sure that the atomic number of the elements is large enough to reflect the layer. The atomic number of the elements is small enough to reflect the layer. The crystal interface is excellent. The Al/Pd system is excellent. When the Al layer thickness is 0.4 nm, the initial Al/Pd layer thickness is (100). After the film grows, it grows near room temperature, and the structure of the film grows amorphous.とくに,この挙动は,Al层で顕着であった. When the Al layer thickness is 0.8 nm, the initial Al layer is amorphous, and the growth of the Al layer is amorphous. In the case of solid phase amorphization, the condition that the difference between atomic radii is large holds. Al-Pt system is a part of Al-Pt system. The conditions of this system are: irradiation, low temperature heating, cold pressure delay, etc. In this study, we found that the amorphous phase of Al/Pd multilayer film was initiated in the process of molecular wire evaporation near the substrate at room temperature.