プロチウムをドープした合金薄膜多層膜の磁性と伝導性

氕掺杂合金薄膜多层膜的磁性和电导率

• 批准号: 10148220
• 负责人: 山本 雅彦
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10148220/
• 关键词: 薄膜; 多層膜; 人工格子; プロチウム; 磁性; 伝導性

金属多層膜は,積層効果と界面効果の発現により,優れた特性を発揮することが期待されている.本研究では,これら多層膜にブロチウムをドーブし,新物性の発現を目指して行った.本年度は,特に磁性と電気伝導性に着目し,水素化希土類薄膜をスペサ一層として2つの強磁性遷移金属薄膜で挟んだ3層膜の磁性と伝導性について調べた.今回はLa単層膜と水素化[Co/La/Co]3層膜の磁性と伝導性の実験結果について報告する.La(200nm)薄膜の電気抵抗測定による水素化の実験では,Ar雰囲気中に水素ガスを導入すると電気抵抗が上昇し,約7分後にピーク値をとり,その後減少した.抵抗の減少は徐々に緩やかになり,2時間後にはほぼ一定となった.水素化初期の電気抵抗の上昇は,水素がLa中に固溶し,αLa-H相が形成したためと考えられる.3層膜の基本設計はcap-Cu(3nm)/Co(5nm)/X(3nm)/Co(10nm)/glassとし,スペーサ一層のXとして巨大磁気抵抗効果が出現するCu,未水素化La,6時間水素化したLaの3種類を用いた.水素化中の電気抵抗は,La膜の場合と異なり,水素ガス導入後から電気抵抗が上昇し始め,6時間後においても上昇傾向は続いた.比抵抗は水素化前より3%大きくなった.磁気抵抗効果の測定では,スペーサー層がCuの場合,室温で約0.8%の変化率が得られた.スペーサ一層がLaの場合,変化率,反転磁場ともCuの場合に較べて減少した,このことから,Co/La系はCo/Cu系と比較してGMR効果は小さく,層間交換結合も弱いと考えられる.スぺーサ一層のLaを水素化すると,変化率及び反転磁場は未水素化の試料に較べてさらに減少し,変化率に関しては符号が反対に変わった.変化率の減少は,水素化によりスペーサ一層のLaの電子状態が変化し,スピン依存散乱の割合が減少したためであると考えられる.符号の逆転は,Co層が持つ異方的磁気抵抗(AMR)効果と関係していると考えられる.

Metal multi-film, positive effect of the interface is very important, and the characteristics of the film are expected to increase. The purpose of this study is to improve the performance of the film, and the new physical properties show that the new physical properties are different. This year, special magnetic electronics. water-based rare earth thin films are highly sensitive to high-intensity magnetic transfer metal thin films. This time, the La thin film was hydrated. [Co/La/Co] 3 thin film magnetic mechanical properties test results. La (200nm) thin film electrical resistance to determine the temperature, water content in the Ar thin film was injected into the thermal electrical resistance, about 7 minutes later, the temperature was reduced after 7 minutes. It is necessary to resist the loss of time, and be sure to do so after 2 o'clock. In the initial stage of hydration, the battery resists high voltage, the solid solution of water in La, and the formation of α-La-H phase is sensitive. 3 the basic design of the film is cap-Cu (3nm)