Aufeinander abgestimmte intramolekular adduktstabilisierte Alkoxid- und Amid-Prekursoren für MOCVD von oxidischen ferroelektrischen Schichtstrukturen
Aufeinander abgestimmte intramolekular adduktstabilisierte Alkoxid- und Amid-Prekursoren für MOCVD von oxidischen ferroelektrischen Schichtstrukturen
批准号:
5313770
负责人:
Professorin Dr. Anjana Devi
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2007-12-31
中文摘要
Dünne Schichten Aus sehr verschiedenen Materialen and MIT verschiedenster Mikrostrukture,die von epetaktischenüber verschieden texturierte Polykristaten Schichten bis zu amalen Filmen reicht,we den für komplexe Strukturen and Bauelemente Benötigt.我是Rahmen des vorgeschlagenen Projektes Sollen Oxidische Schichten Schichten Aus Baus-Strondium-Tianat(BST),Blei-Zirkonat-Tianat(PZT)和Anderen材料业。他们死于核和瓦赫斯通之间,死于异质结构和异质结构之间。在此定义、动态控制MOCVD是一种全新的设计方法,在此基础上进行设计。这是一种化学前驱物,它的前身是Flüchtigkeit,Der Lang zeit稳定,Des AggregationsVerhalts Sowie der Reaktivität and Zersetzungskintik beantwortet。从问题解决的角度来说,这是一件很重要的事情,因为它是一种新型的设计方法,是一种新型的设计方法。这是最好的组合,也是最好的选择。我们的设计是这样的:一种新的金属结构和新的金属结构体系。
英文摘要
Dünne Schichten aus sehr verschiedenen Materialien und mit verschiedenster Mikrostruktur, die von epitaktischen über verschieden texturierte polykristalline Schichten bis zu amorphen Filmen reicht, werden für komplexe Strukturen und Bauelemente benötigt. Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen oxidische ferroelektrische Schichten aus Barium-Strontium-Titanat (BST), Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) und anderen Materialien untersucht werden. Dies beinhaltet die Untersuchung von Nukleation und Wachstum, der konformen Abscheidung und der Heterostrukturen. Für die definierte, kinetisch kontrollierte MOCVD ist dabei das abgestimmte Design der individuellen Precursoren hinsichtlich des Zerfallsverhaltens besonders wichtig. Aus precursorchemischer Sicht müssen daher Fragen der Reinheit, der Flüchtigkeit, der Langzeitstabilität, des Aggregationsverhaltens sowie der Reaktivität und Zersetzungskinetik beantwortet werden. Aufgrund der Komplexität des Problemfeldes, speziell bei der kombinierten Abscheidung, soll beim Precursordesign von bekannten Leitstrukturen ausgegangen werden, die in intelligenter Weise systematisch variiert werden sollen. Dabei ist die Optimierung der Kombination individueller Precursoren das Hauptanliegen. Beim Design der Precursoren soll ganz bewußt auf das Konzept donorfunktionalisierter und im sterischen Anspruch variabel einstellbarer Alkoxidliganden zurückgegriffen werden, um möglichst einheitliche Systeme für alle Metallkomponenten hinsichtlich Struktur und Reaktivität zu erhalten.
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会议论文
Ultra-thin metal layers by plasma-assisted spatial atomic layer deposition at atmospheric pressure
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批准号:417279094
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2019
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负责人:Professorin Dr. Anjana Devi
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依托单位:
Atomic layer deposition (ALD) of complex oxide thin films for integration into semiconductor devices: Precursor engineering and process optimization
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批准号:149935315
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2009
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负责人:Professorin Dr. Anjana Devi
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依托单位:
New spatial atomic layer deposition precursors and plasma processes towards functional materials for advanced applications
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批准号:490773082
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:--
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负责人:Professorin Dr. Anjana Devi
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依托单位:
Hybrid Memristive Device with Multilevel-Modulated Electrical Conductance of Interfaced Atomically Thin 2D Materials and Molecular Oxides (2DPOMristor)
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批准号:536022773
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:--
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负责人:Professorin Dr. Anjana Devi
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依托单位:
Surface engineered metal nitrides for genuine nitrogen Reduction – SUNRed
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批准号:502054395
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:--
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负责人:Professorin Dr. Anjana Devi
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依托单位:
海外基金