Metallische Nanostrukturen auf Silizium-Einkristalloberflächen

硅单晶表面金属纳米结构

基本信息

项目摘要

Das von uns entwickelte Verfahren der lokalisierten Elektrodeposition soll zur Präparation metallischer, insbesondere Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111)-Einkristallsubstraten benutzt werden. Hierzu sollen die Voraussetzungen für die sauerstofffreie Präparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis für die lokalisierte Abscheidung durch Aufbau einer "Glove box" geschaffen werden, die sowohl die sauerstofffreie Präparation als auch den Transfer und die Immersion der Substrate in die deaerierte elektrochemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphäre erlaubt. Die Präparation metallischer Nanostrukturen mit unserem Verfahren erscheint unproblematisch, falls das Nernstpotential des Metallsystems negativer als das Flachbandpotential der verwendeten n-Si(111)-Substrate ist. ... Sämtliche Untersuchungen werden in situ unter Ausschluß von Sauerstoff durchgeführt. Die mögliche Stabilisierung der Nanostrukturen durch Anionen soll durch Austausch der verwendeten Anionen, Legierungsbildung und kristallographische Struktur sollen mit hochaufgelösten Rastertunnelmikroskop-Messungen aufgeklärt werden. Erste dc-Charakterisierungen sollen an den durch die Abscheidung von Metallclustern entstehenden Metall-Halbleiter-Kontakten durchgeführt, sowie an abgeschiedenen "Drähten" erste dc-Kennlinien bei Raumtemperatur gemessen werden.
在金属制备中,采用局部电沉积方法,在n-Si(111)-Einkristallsubstraten上制备韦尔登。Hierzu sollen die Voraussetzungen für die sauerstofffreie Preäparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis für die lokalisierte Abscheidung durch einer“Glove box”geschaffen韦尔登,die sowohl die sauerstofffreie Preäparation als auch den Transfer and die Immersion der Substrate in die deaerierte elektrochemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphere erlaubt.用这种方法制备金属纳米结构是没有问题的,福尔斯将金属体系的能谱势降为负,而将n-Si(111)衬底的能带势降为负。... Sämtliche Untersuchungen韦尔登在原位unter Ausschlüghter von Sauerstoff durchgeführt。Die mögliche Stabilisierung der Nanostrukturen durch Anionen soll durch Austausch der verwendeten Anionen,Legierungsbildung und kristallographische Struktur sollen mit hochaufgelösten Rastertunnelmikroskop-Messungen aufgeklärt韦尔登.首先,通过对金属团簇的吸收来解决金属半导体的特性问题,然后在韦尔登下进行“干燥”。

项目成果

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