Metallische Nanostrukturen auf Silizium-Einkristalloberflächen

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Das von uns entwickelte Verfahren der lokalisierten Elektrodeposition soll zur Präparation metallischer, insbesondere Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111)-Einkristallsubstraten benutzt werden. Hierzu sollen die Voraussetzungen für die sauerstofffreie Präparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis für die lokalisierte Abscheidung durch Aufbau einer "Glove box" geschaffen werden, die sowohl die sauerstofffreie Präparation als auch den Transfer und die Immersion der Substrate in die deaerierte elektrochemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphäre erlaubt. Die Präparation metallischer Nanostrukturen mit unserem Verfahren erscheint unproblematisch, falls das Nernstpotential des Metallsystems negativer als das Flachbandpotential der verwendeten n-Si(111)-Substrate ist. ... Sämtliche Untersuchungen werden in situ unter Ausschluß von Sauerstoff durchgeführt. Die mögliche Stabilisierung der Nanostrukturen durch Anionen soll durch Austausch der verwendeten Anionen, Legierungsbildung und kristallographische Struktur sollen mit hochaufgelösten Rastertunnelmikroskop-Messungen aufgeklärt werden. Erste dc-Charakterisierungen sollen an den durch die Abscheidung von Metallclustern entstehenden Metall-Halbleiter-Kontakten durchgeführt, sowie an abgeschiedenen "Drähten" erste dc-Kennlinien bei Raumtemperatur gemessen werden.