Metallische Nanostrukturen auf Silizium-Einkristalloberflächen

在电沉积法制备锌金属氧化物的过程中，发现了n-Si(111)晶面上的铅纳米结构。在n-Si(111)-Oberfläche als Ausangsbase für die lokalisierte Abscheidong Due Aufbau einer“手套箱”中，我们可以从手套箱中提取、转移和浸入衬底。制备纳米结构的金属材料不存在任何问题，金属体系的电势为负，而n-Si(111)衬底的能带电势为负。..。S在Ausschluüvon Sauerstoff DurchgefüHRT的现场。在此基础上，提出了一种新的结构形式，即结构形式和结构形式。从金属到金属，再到金属。

Das von uns entwickelte Verfahren der lokalisierten Elektrodeposition soll zur Präparation metallischer, insbesondere Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111)-Einkristallsubstraten benutzt werden. Hierzu sollen die Voraussetzungen für die sauerstofffreie Präparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis für die lokalisierte Abscheidung durch Aufbau einer "Glove box" geschaffen werden, die sowohl die sauerstofffreie Präparation als auch den Transfer und die Immersion der Substrate in die deaerierte elektrochemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphäre erlaubt. Die Präparation metallischer Nanostrukturen mit unserem Verfahren erscheint unproblematisch, falls das Nernstpotential des Metallsystems negativer als das Flachbandpotential der verwendeten n-Si(111)-Substrate ist. ... Sämtliche Untersuchungen werden in situ unter Ausschluß von Sauerstoff durchgeführt. Die mögliche Stabilisierung der Nanostrukturen durch Anionen soll durch Austausch der verwendeten Anionen, Legierungsbildung und kristallographische Struktur sollen mit hochaufgelösten Rastertunnelmikroskop-Messungen aufgeklärt werden. Erste dc-Charakterisierungen sollen an den durch die Abscheidung von Metallclustern entstehenden Metall-Halbleiter-Kontakten durchgeführt, sowie an abgeschiedenen "Drähten" erste dc-Kennlinien bei Raumtemperatur gemessen werden.