Herstellung und Charakterisierung geordneter Ge-Nanostrukturen auf Si-Substraten durch Adsorbat-modifiziertes Wachstum

通过吸附改性生长在 Si 基底上制备有序 Ge 纳米结构并表征

• 批准号: 5346342
• 负责人: Professor Dr. Jens Falta
• 金额: --
• 依托单位: Surface Physics Group
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5346342?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; geordneter; Ge

Im Rahmen dieses Projekts werden die Möglichkeiten des Surfactant-modifizierten Wachstums zur Herstellung von epitaktischen Ge-Quanten-Strukturen auf Si(113) mit einstellbarer Größe und Dimension untersucht. Derartige Strukturen besitzen ein großes Potential für die Realisierung neuartiger elektronischer Bauelemente. Ein wesentliches Hindernis für die Herstellung von Ge/Si-Heterostrukturen sind die deutlich verschiedenen Gitterkonstanten von Ge und Si. Das heute gängige Verfahren besteht in der Abscheidung relativ dicker GeSi-Legierungsschichten mit zunehmender Ge-Konzentration. Für die Herstellung von Strukturen mit abrupten Änderungen der Ge-Konzentration und das Wachstum dünner Ge-Filme ist dies Konzept jedoch nicht anwendbar. Einen Ausweg bietet hier die Verwendung von wachstumsaktiven Oberflächenadsorbaten, sogenannten Surfactants, die eine grundlegende Änderung der Wachstumsmechanismen von Ge auf Si bewirken können. Aufgrund ihrer Anisotropie stellt die Si(113) Oberfläche hinsichtlich dieser Ziele eine besonders interessante Alternative zu Si(001) und (111) dar. Die Adsorption des Surfactants soll genutzt werden, um die Oberflächenverspannung der Si(113) gezielt zu verändern und so die Dimension des Ge-Wachstums über Selbstordnungsprozesse zu steuern.

在Rahmen的这个项目韦尔登模具的表面改性Wachstums Herstellung从epitaktischen Ge-Quanten-Strukturen在Si（113）上，具有一个安装Größe和尺寸untersucht。Derartige Strukturen besitzen ein großes Potential für die Realisierung neuartiger elektronischer Bauelemente. Ge/Si异质结构的形成受到了一个阻碍，即Ge和Si的异质结构的相互作用。这一天的最佳实践是在相对于GeSi-Legierungsschichten的理论基础上，与Ge-Konzentration结合起来。对于Ge-Konzentration和Ge-Filme中的Wachstum来说，Ge-Konzept并不重要。Einen Ausweg bietet discussed die Verwendung von wachstumsaktiven Oberflächenadsorbaten，sogenannten Surfactants，die eine grundesterung de Änderung der Wachstumsmechanismen von Ge auf Si beautifken können.在Si（113）上的各向异性使Ziele成为Si（001）和Si（111）的一个有趣的替代方案。表面活性剂的吸附作用一般是韦尔登，硅（113）的表面张力分布是均匀的，因此硅的自吸附过程的几何尺寸是稳定的。