Multilevel current source inverter

多电平电流源逆变器

• 批准号: 5317420
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Michael Braun
• 金额: --
• 依托单位: Elektrotechnisches Institut (ETI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5317420?language=en
• 关键词: Multilevel; current; source; inverter

Die Drehstrombrückenschaltung ist heute die typische Schaltungsstruktur für Stromzwischenkreisumrichter auch im Megawattbereich. Die Erweiterung des Einsatzgebiets zu höheren Spannungen erfolgt durch direkte Reihenschaltung. Aufgrund der niedrigen Schaltfrequenz der eingesetzten GTO-Thyristoren werden die Filterkondensatoren und Zwischenkreisdrosseln schwer und teuer. Im vorliegenden Antrag soll ermittelt werden, ob diese Nachteile durch den Einsatz von mehrstufig kaskadierten Brückenschaltungen mit Isolated Gate Bipolar Transistoren überwunden werden können. Die modulare Erweiterung des Leistungsbereichs zu höheren Spannungen und Strömen wäre ein wichtiges Argument für die Entwicklung und den Einsatz rückwärtssperrfähiger IGBT.

Die Strombrückenschaltung is heute die typische Schaltungsstruktur für Stromzwischenkreisumrichter auch im Megawattbereich. Die Erweiterung des Einsatzgebiets zu höheren Spannungen erfolgt durch direkte Rehenschaltung.增加一个GTO-晶闸管韦尔登的较低Schaltfrequenz频率可使滤波器电容器和整流器电流变小和变慢。Im vorliegenden Antrag soll ermittelt韦尔登，ob diese Nachteile durch den Einertium von mehrstufig kaskadierten Brückenschaltungen mit Isolated Gate Bipolar Transistoren überwunden韦尔登könnnen. Die modulare Erweiterung des Leistungsbereichs zu höheren Spannungen und Strömen wäre ein wichtiges Argument für die Entwicklung und den Einerrückwärtssperrfähiger IGBT.