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局在化軌道を活用した高速化第一原理分子動力学法の開発と結晶成長の原子制御への応用

利用定域轨道开发高速第一原理分子动力学方法及其在晶体生长原子控制中的应用

基本信息

批准号：
13750002
负责人：
久保百司
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

研究代表者は、結晶成長過程のシミュレーションの重要性をいち早く認識し、世界に先駆けて酸化物のエピタキシャル成長をシミュレーションすることが可能な分子動力学計算プログラムを開発した。しかし、上記の方法では表面化学反応や電子移動を伴う結晶成長プロセスを解明することはできない。それを可能とする手段として第一原理分子動力学法が存在するが、実際には計算時間の関係上、結晶成長シミュレーションを行うことは全く不可能である。そこで、本研究では局在化軌道を活用した高速な第一原理量子分子動力学計算手法を開発することを目的とする。昨年度は、局在化軌道を用いた高速化アルゴリズムの定式化に成功し、実際に研究代表者らが開発済みの量子分子動力学計算プログラムに組み込むことに成功した。さらに上記プログラムに基づく結晶成長シミュレータの開発にも成功した。また本年度は、更なる高速計算を実現するために、古典分子動力学法とのハイブリッド化を実現させたハイブリッド局在化軌道量子分子動力学計算プログラムの開発に成功した。結晶成長シミュレーションにおいては、化学反応が起こるのは基板表面のみであり、基板下部は基板の結晶構造の維持や温度を保つための熱浴としての意味しか持たない。そこで、基板下部を古典分子動力学法で、基板上部を局在化軌道量子分子動力学法で扱うことによって、さらなる高速計算を実現させた。また、上記の開発プログラムをMgO薄膜の結晶成長や酸化物基板上の金属微粒子膜の成長など様々な材料の結晶成長シミュレーションに応用することに成功した。

Research representatives have long recognized the importance of crystal growth processes, and have developed the possibility of molecular dynamics calculations for crystal growth processes in the world. The method described above is based on surface chemical reactions, electron mobility, and crystal growth. First principles molecular dynamics method is not only possible but also impossible to calculate the relationship between crystal growth and time. The purpose of this study is to develop high-speed first-principle quantum molecular dynamics calculation methods. In the past year, the rapid development of quantum molecular dynamics has been successfully carried out in the field of chemical orbital engineering. In the past, the company has successfully developed a new type of crystal. This year, high-speed calculations have been carried out, and classical molecular dynamics have been successfully developed in the field of quantum molecular dynamics calculations. Crystal growth process, chemical reaction, temperature maintenance of the substrate surface, thermal bath, etc. The classical molecular dynamics method for the lower part of the substrate and the quantum molecular dynamics method for the upper part of the substrate are realized at high speed. In addition, the development of MgO thin films and the growth of metal particle films on oxide substrates have been successfully carried out.