強誘電体ナノ単結晶構造の物性解明と新機能電気光学デバイスの創出
阐明铁电纳米单晶结构的物理性质并创建新型功能电光器件
基本信息
- 批准号:14702035
- 负责人:
- 金额:$ 15.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
強誘電体の微細構造形成手法として、ゾルゲル法による薄膜形成を採用し、その形成条件を構造解析を行った。また、横方向のナノサイズ化を目的として、リソグラフィによる熱処理前・後の加工について検討を行った。さらに成膜・加工によって形成した強誘電体微細構造に対して種々の評価を行った。1.STO基板上および石英基板上にに室温アモルファス製膜、空気中アニールによりきわめて結晶性の良好なPZTおよびPLZT薄膜を得ることに成功した特にSTO基板上においては、X線回折測定において(001)方向にきわめて強く配向したエピタキシャル構造を得ることができた。2.厚さ100nm以下の極薄PLZT膜において、圧電応答顕微鏡観察により、ヒステリシスを確認した。このヒステリシス特性は電解による強誘電-リラクサ相転移によるものと考察された。
Strong electricity body の lure fine structure forming technique と し て, ゾ ル ゲ ル method に よ film formation を る し, そ の forming conditions を structure line を っ た. ま た, transverse direction の ナ ノ サ イ ズ change を purpose と し て, リ ソ グ ラ フ ィ に よ る hot 処 li の before, after processing に つ い て 検 line for を っ た. Youdaoplaceholder0 Film formation · processing によって to form <s:1> た strong inducer microstructure に to 々 て species 々 <s:1> evaluation 価を conduct った. 1. STO substrate お よ び Shi Yingji board に に room temperature ア モ ル フ ァ ス in the membrane, empty 気 ア ニ ー ル に よ り き わ め て crystalline の good な PZT お よ び PLZT thin film を have る こ と に successful し た, に STO substrate に お い て は, determination of X-ray inflexion に お い て (001) direction に き わ め て strong く match to し た エ ピ タ キ シ ャ Youdaoplaceholder0 constructs を to get る とがで とがで た. 2. Below 100 nm thick さ の thin PLZT film に お い て, 圧 electric 応 answer 顕 micromirror 観 examine に よ り, ヒ ス テ リ シ ス を confirm し た. The <s:1> ヒステリシス characteristics of <s:1> electrolysis による strong inductance -リラ サ phase 転 shift による <s:1> と と investigation された.
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nanoscopic observation of bistable piezoresponse, polarization retention, and domain imaging of sub-50 nm-thick (Pb, La)(Zr, Ti)O3 thin
亚 50 nm 厚 (Pb, La)(Zr, Ti)O3 薄层双稳态压电响应、偏振保留和域成像的纳米观察
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tokuda;T.Nakano;D.Fujiu;J.Ohta;M.Nunoshita
- 通讯作者:M.Nunoshita
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