カーボンナノチューブ電界放射電子源の研究
カーボンナノチューブ電界放射電子源の研究
批准号:
14750269
负责人:
吉本 智巳
金额:
$2.18万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2004
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英文摘要
電界放射型フラットパネルディスプレ用の電子源として,カーボンナノチューブ(CNT)をSi突起先端に成長した電子源アレー(FEA)からの電界放射特性を評価した.昨年度は電界放射が起る閾値電圧および放射電流の安定性の評価を実施した.今津度はこれを更に進め電界放射電流のノイズとその低減化方法について検討した.その結果,放射電流がアレー内で実効的に動作している電子源数に比例するならば,そのノイズ振幅は放射電流の平方根の逆数に比例することがわかった.これは電気回路論的な理論をもとに説明することができた.これについてはJ. Vac. Sci. Technol. B22(3),1338-1341(2004)にて発表した.また,個々のCNT電子源からの電界放射特性がアレー化した場合に放射電流の安定性に大きな影響を与えるので,単一のCNT電子源を製作し,その電界放射特性を調べた.熱処理によって表面状態が変化することを電界放射顕微鏡の放射像から確認することができた.それにともない,Fowler-Nordheim (F-N)プロットも熱処理により大きく変化することが分かった.高温の熱処理(1000℃)によって電界放射電流の時間変動(ノイズ)は小さくなることがわかった.この結果からCNT FEAにおいても高温での熱処理によって,放射電流の安定性が改善されることが期待できると考えられる.これについては,Diamond 2004 (September 12-17,2004,Riva Del Garda Italy,15.2.9)にて発表した.
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Field-Emission Characteristics from Carbon Nanotube Single Emitter Grown on Si Cone
硅锥上生长的碳纳米管单发射极的场发射特性
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide
影响因子:
--
作者:
[T.Yoshimoto, T.Iwata, K.Matsumoto]
通讯作者:
K.Matsumoto
T.Yoshimoto, D.Kamimaru, H.Iwasaki., T.Iwata., K.Matsumoto: "Field - Emission Characteristics from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (CNT FEAs) Grown on Silicon Emitters"Journal of Vacuum Science and Technology B. 印刷中. (2004)
T.Yoshimoto、D.Kamimaru、H.Iwasaki.、T.Iwata.、K.Matsumoto:“在硅发射器上生长的碳纳米管场发射器阵列 (CNT FEA) 的场发射特性”Journal of Vacuum Science and Technology B.正在出版(2004)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
吉本, 紙丸, 岩田, 松本: "Si突起に成長したCNT FEAからの電界放射電流の変動特性"第43回真空に関する連合講演会講演予稿集. 205-206 (2002)
Yoshimoto、Kamimaru、Iwata、Matsumoto:“Si 突起上生长的 CNT FEA 场发射电流的波动特性”第 43 届真空联合会议论文集 205-206 (2002)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Yoshimoto, D.Kamimaru, H.Iwasaki, T.Iwata, K.Matsumoto: "Field Emission Properties from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (CNT FEAs) Grown on Si Emitters"International Vacuum Microelectronics Conference 2003, Osaka. (発表予定). (2003)
T.Yoshimoto、D.Kamimaru、H.Iwasaki、T.Iwata、K.Matsumoto:“在硅发射器上生长的碳纳米管场发射器阵列 (CNT FEA) 的场发射特性”国际真空微电子会议 2003 年,大阪。提出))(2003)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
紙丸, 吉本, 岩田, 安森, 催, 飯田: "Diamond Like Carbonからの電子放射特性"電気関学会北海道支部連合大会講演論文集,北見工業大学. 134-134 (2002)
Kamimaru、Yoshimoto、Iwata、Yasumori、Masaru、Iida:“类金刚石碳的电子发射特性”北见工业学院电气工程学会北海道分会会议记录 134-134 (2002)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 9 条
SiMISトンネル・エミッタ・トランジスタ(SiMISTET)の研究
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批准号:06750356
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:吉本 智巳
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依托单位:
Si MIS トンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の研究
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批准号:05750317
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:吉本 智巳
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依托单位:
Si・MIS・トンネル・エミッタ・トランジスタ(Si・MIS・TET)の研究
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批准号:04855081
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:吉本 智巳
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依托单位:
海外基金