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Si MIS トンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の研究

硅MIS隧道发射极晶体管（Si MIS TET）的研究

基本信息

批准号：
05750317
负责人：
吉本智巳
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Hokkaido Tokai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750317/
关键词：
Si MIS TET bipolar transistor tunnel low remperature inversion base layer

项目摘要

本研究は,Si metal insulator semiconductor tunnel emitter transistor(Si MIS TET)の低温における電気的特性を明らかにすることを目的に行われた.研究の第一段階として,低温動作測定用のSi MIS TETを試作した.第二段階として,試作したSi MIS TETの動作温度100K〜300Kにおける電気的特性を詳細に検討した.その結果,以下に示すことが明らかになった.1.MIS(metal insulator semiconductor)界面の反転層が,Si MIS TETの反転層ベースとして機能していることを,Gummelプロットの温度依存性より確認した.2.得られたエミッタ接地電流増幅率は,300Kおよび100Kにおいてそれぞれ76と74であり,100Kという低温においても,Si MIS TETは300Kと全く同じにトランジスタ動作することが明らかになった.3.通常のSiバイポーラトランジスタは,低温になるにつれ電流増幅率は減少するが,2で述べたようにSi MIS TETではそのような減少は見られなかった.この理由は,Si MIS TETのエミッタ・ベース間のキャリアの注入がエミッタバリアをトンネルすることによって行われるために,温度によって注入量が変化しないためであることが分かった.近年,BiCMOS ICを低温で動作させ,動作速度の向上を図ろうとする試みがあるが,通常のSiバイポーラトランジスタは低温では著しく電流増幅率が減少してしまうことが大きな問題となっている.Si MIS TETは,低温においても電流増幅率が減少しないことが明らかになったため,今後は低温動作BiCMOS IC中のバイポーラトランジスタへの応用が期待される.今後は,Si MIS TETの実用化のために,動作速度等について検討する必要があると思われる.

In this paper, the electrical characteristics of Si metal insulator semiconductor tunnel emitter transistor(Si MIS TET) at low temperature are investigated. The first stage of the study is to try Si MIS TET for low temperature performance measurement. In the second stage, the electrical characteristics of Si MIS TET at operating temperature of 100K ~ 300K are discussed in detail. The results are shown below. 1.MIS (metal insulator semiconductor) Interface reflection layer Si MIS TET reflection layer temperature dependence of Gummel TET temperature dependence of G Si MIS TET is 300K and the current amplitude of Si MIS TET is reduced at low temperature. The reason for this is that Si MIS TET's injection rate varies from temperature to temperature. In recent years,BiCMOS ICs have been operating at low temperatures, and their operating speeds have been increasing. In general, Si MIS TET has been operating at low temperatures, and their current amplitude has been decreasing. In the future, we will look forward to the development of low temperature BiCMOS ICs. In the future, as the implementation of Si MIS TET becomes more and more important, it will be necessary to discuss the speed of action and other issues.