新量子・ナノ構造と太陽電池応用に関する研究
新量子・ナノ構造と太陽電池応用に関する研究
批准号:
03F03719
负责人:
山口 真史
金额:
$0.77万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2004
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多接合構造太陽電池の性能を正確にシミュレートすることができる包括的コンピューターモデルを開発した。この研究の主な目的は、屋外試験下での集光型多接合構造太陽電池モジュールの特性を理解するためのモデル構築にある。また、次世代の超高効率光起電力変換の新概念やデバイス設計を評価するためのモデルとしても、有用である。開発期間の短縮のため、PSPICEソフトと、2003〜2004年に開発したJAVA言語のプログラムとを結合して用いた。開発した多接合構造太陽電池のコンピューターモデルは、実験結果と良い一致を示した。また、実験で測定することが困難な集光型多接合構造太陽電池モジュールの温度係数の予想に用いた。さらに、スペクトル変動に対する多接合構造太陽電池の特性安定について、バイパス・ダイオードの有効性を評価したり、多接合構造太陽電池に量子井戸構造を導入するための最低性能基準を決定したりするためにも、コンピューターモデルを適用した。量子井戸太陽電池に関する研究は、IEEE光起電力専門家会議にて発表し、会議のハイライトとして閉会式で紹介され、注目された。格子不整合InGaP/InGaAs太陽電池の電子線照射(1MeV)効果について検討し、InGaP n+エミッタ層からの急速なキャリア消失などの格子不整合太陽電池の特異な特性を見出した。この特異な特性のメカニズムを明らかにするため、過渡容量分光(DLTS)測定を行なった。その結果、格子と放射線誘起の点欠陥との相互作用の可能性が示された。この結果は、初期効率と放射線誘起欠陥の生成速度との間の関係を示すものとして、放射線耐性の強い高効率格子不整合太陽電池の設計のために重要なものである。
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DOI:
10.1134/1.1787111
发表时间:
2004-01-01
期刊:
SEMICONDUCTORS
影响因子:
0.7
作者:
[Chatten, AJ, Barnham, KWJ, Malik, MA]
通讯作者:
Malik, MA
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
ASES (In press)
影响因子:
--
作者:
[Motoyoshi, Y., Hokada, T., Shiraishi, K., N.J.Ekins-Daukes]
通讯作者:
N.J.Ekins-Daukes
Analysis of radiation induced defects in wide band gap AlInGaP forsuper-high efficiency and radiation resistant multi junction solar cells.
超高效率抗辐射多结太阳能电池宽带隙 AlInGaP 中辐射引起的缺陷分析。
DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
Appl.Phys.Lett. 85(22)
影响因子:
--
作者:
[Miyamoto T., Yoshimura Y., Sato K., Motoyoshi Y., Dunkley D.H., Carson C.J., A.Khan et al.]
通讯作者:
A.Khan et al.
Chemical beam epitaxy of InGaAsN films for multi-junction tandem solar cells
用于多结串联太阳能电池的 InGaAsN 薄膜的化学束外延
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Journal of Crystal Growth 275
影响因子:
--
作者:
[H.S.Lee, et al.]
通讯作者:
et al.
Rectifying I-V Characteristics of n-Type Fluorine Implanted a-C/p-type Si Heterojunction Diode.
整流n型氟注入a-C/p型硅异质结二极管的I-V特性。
DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
Jpn.J.Appl.Phys, 43B(1A/B)
影响因子:
--
作者:
[P.A.C.Varley, R.R.Martin, H.Suzuki, K.L.Narayanan et al.]
通讯作者:
K.L.Narayanan et al.
日英語における心理副詞構文の構造と容認性に対する制約の研究
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批准号:24K16098
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$1.83万
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财政年份:2024
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负责人:山口 真史
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依托单位:
新量子・ナノ構造と太陽電池応用に関する研究
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批准号:03F00719
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2003
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负责人:山口 真史
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依托单位:
太陽電池用微結晶Si薄膜の成長とキャラクタリゼーション
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批准号:99F00709
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.96万
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财政年份:2000
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负责人:山口 真史
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依托单位: