新量子・ナノ構造と太陽電池応用に関する研究

新型量子/纳米结构及太阳能电池应用研究

• 批准号: 03F00719
• 负责人: 山口 真史
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Toyota Technological Institute
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2004
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03F00719/
• 关键词: III-V族化合物; 量子井戸構造; ナノ構造; ヘテロ構造; 多接合構造; 太陽電池; シミュレーション; 放射線損傷

格子不整合系のn+/p- InGaPの放射線耐佳に関する研究を行い、量子効率の計算モデルを用いて両接合面のキャリア密度を求めた。その結果、低ドープInGaPよりも高ドープInGaPの方が急速にキャリア消失が進むことが明らかになった。本研究から得られた成果は、宇宙用の耐放射線性高効率太陽電池を開発する上できわめて重要である。また、今後の展開として、急速なキャリア消失機構を理解することが必要であり、両接合面のキャリア密度を求める実験技術はIII-V族太陽電池の研究に新しい扉を開くものである。さらに現在は集光型III-V族太陽電池の発電量計算モデルを開発中である。計算モデルは集光型太陽光発電システムにおける各パラメーターを、太陽電池のデバイス物理と、モジュールに入射した太陽光スペクトルの正確な予測値からシミュレートすることが出来る。この計算モデルは他の研究所からも注目され、米国および英国の研究者達との共同研究が始まった。計算モデルの完成は2004年夏を予定しているが、すでにIII-V族多接合太陽電池のスペクトルミスマッチに関する興味深い結果が得られている。新量子ナノ構造高効率太陽電池を検討し、米国の研究者と協力関係を築いている。光起電力効果と光学冷却を組み合わせ、Shockley-Queisser限界を超える新しいデバイスを提案した。さらに計算モデルを改良して、より広範囲なパラメーターを用いることで、本デバイスの限界効率を計算可能とした。歪バランスGaAsP/InGaAs多重量子井戸構造の多接合太陽電池への適用を検討した。その結果、多接合太陽電池の効率向上のためには、曲線因子の改善が重要であることが分かった。今後は、多重量子井戸構造を用いた1.4eVおよび1.0Vサブセル構築の必要条件について検討を行う。

Lattice unconformity is the system of lattice unconformity, which is based on the calculation of quantum rate, the calculation of quantum rate, the calculation of the density of the interface, the calculation of the density of the lattice unconformity, the calculation of the quantum rate, the calculation of the density and the calculation of the density of the lattice unconformity. The result of the test, the lower the InGaP, the higher the InGaP, the faster the response is to disappear, the better the effect is. The results of this study show that the high rate of radiation resistance in the universe is very important. In the future, the exhibition will be launched in the future, and the disappearance mechanism will be quickly opened to understand that it is necessary to improve the density of the joints, the technical and technical III-V family, the research of the electric pool, the new title and the opening of the research program. The electric power calculation system of the concentrating III-V family is now in operation. The calculation results show that the light collecting equipment is used to detect the incident light source of each optical cell, and that the incident light emission device is correct. The researchers in the United States and the United Kingdom have reached the beginning of their joint research. It is calculated that in the summer of 2004, it is expected that the multi-connection of the III- V family will be completed in the summer of 2004. The new quantum system creates a high rate of electricity, and the researchers of the United States work together to make efforts to pay the price. The proposal for the combination of optical cooling equipment and Shockley-Queisser limit equipment for light-generated power generation has been proposed. In order to improve the accuracy of the calculation, the calculation of the limit rate may be used in this section. Distorted GaAsP/InGaAs multiple quantum wells are used to fabricate multi-junction devices for battery batteries. The results of the test, the failure rate of the multi-spliced battery, and the curve factor improve the score of the important battery. In the future, multiple quantum wells will be built with the necessary conditions for the production of multiple quantum wells, such as 1.4eV