ホットラインリアクターによる半導体ナノクリスタルの気相合成とその構造制御

使用热线反应器气相合成半导体纳米晶体及其结构控制

• 批准号: 15760503
• 负责人: 上原 雅人
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2004
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15760503/
• 关键词: ナノ粒子; 半導体; 気相合成; 連続合成

本研究課題は、平成15年度9月30日に、研究代表者の退職により、研究遂行が不可能となったため、10月から廃止となった。以下に9月までの研究結果を記載する。本年度は、炭化ケイ素について調査した。環状型電気炉とアルミナチューブを用いた装置で、合成条件を予備的に調査した。キャリアガスとして水素を用い、テトラメチルシランを電気炉内に設置したアルミナチューブに流通させ熱分解を行った結果、約1200℃で、粒子径が200nm程度の結晶性の低い粒子を合成することができた。また、高分解能透過電子顕微鏡を用いて、構造解析を行った結果、一部結晶化していることが確認された。さらに、テトラメチルシラン-四塩化チタン-水素系の気相反応法で、合成温度1400℃で、100nm程度のSiC-TiC複合粒子が合成できた。これは、テトラメチルシランの熱分解で、まずSiCが析出し、同時に生成したメタンと四塩化チタンとの反応により炭化チタンが生成したものである。また、炭化珪素単体に比べて結晶性の高い粒子であることが電子顕微鏡観察でわかった。

This research project was completed on September 30, 2015, and the research representative resigned. The results of the September study are described below. This year's survey was conducted on the basis of the survey results. A preliminary investigation was conducted on the conditions for the preparation of a ring type electric furnace. As a result of thermal decomposition, crystalline particles with particle diameters of about 200nm were synthesized at about 1200℃. The results of structural analysis and partial crystallization were confirmed by electron microscopy. In addition, SiC-TiC composite particles were synthesized at a temperature of 1400℃ and at a wavelength of 100nm by a four-phase reaction method. The thermal decomposition of SiC and the formation of SiC in the process of decomposition and carbonization The particles in the crystalline phase of carbon atoms are observed by electron microscopy.