CVD法による多結晶シリコン膜合成時における膜構造の制御
CVD法による多結晶シリコン膜合成時における膜構造の制御
批准号:
03J11221
负责人:
梶川 裕矢
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
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英文摘要
本研究における、研究実績は主に二つのテーマからなる。一つは、薄膜材料プロセスにおける構造制御に関するケーススタディであり、もうひとつは、構造制御のためのモデル構築の方法論に関する研究である。前者としては、薄膜材料プロセスにおける、初期製膜過程での核発生・遅れ時間、最終的な合成膜の配向性、表面凹凸の制御を研究課題として取り上げた。結果、当初の予定であった多結晶シリコン膜の構造制御という課題を乗り越え、材料種によらない、汎用的なフレームワークを提示することができた。具体的には、温度、圧力といった操作条件と、膜構造に関する、ファクトデータの収集、その背後にある理論的なメカニズムに関する調査を行い、現在までにプロセス制御に関して知らされている知見を網羅的に収集した。それら知見は、総説として国際的な学術誌上にて報告している。また、後者のモデル構築方法論の研究として、研究者が問題としている現象に対する作業仮説を効率的に構築するためのツールを開発した。具体的には、文献調査プロセスにかかるコストを大幅に低減するための、膨大な文書情報からの自然言語処理を用いた知識抽出エンジンの開発を行った。また、得られた情報から、本質的な情報のみを抽出する方法論の提示を行い、国際的な学術誌上にて報告した。
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Y.Kajikawa: "The General Mechanisms Controlling Preferred Orientation of Chemical Vapor Deposited Polycrystalline Films"Sol.St.Phenomena. 93. 411-418 (2003)
Y.Kajikawa:“控制化学气相沉积多晶薄膜的优选取向的一般机制”Sol.St.Phenomena。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kajikawa: "Comprehensive perspective on the mechanism of preferred orientation in reactive-sputter-deposited nitrides"J.Vac.Sci.Technol.A. 22. 1943-1954 (2003)
Y.Kajikawa:“反应溅射沉积氮化物择优取向机制的综合视角”J.Vac.Sci.Technol.A。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
10.1016/j.mseb.2004.04.013
发表时间:
2004-08-25
期刊:
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
影响因子:
--
作者:
[Kajikawa, Y, Noda, S, Komiyama, H]
通讯作者:
Komiyama, H
S.Noda: "Preferred Orientation and Film Structure of TaN Films Deposited by Reactive Magnetron Sputtering"J.Vac.Sci.Technol.A. 23. 332-338 (2004)
S.Noda:“反应磁控溅射沉积的 TaN 薄膜的优选取向和薄膜结构”J.Vac.Sci.Technol.A。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Combinatorial Masked Deposition : Simple Method to Control Deposition Flux and Its Spatial Distribution
组合掩模沉积:控制沉积通量及其空间分布的简单方法
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
225
影响因子:
--
作者:
[Y.Kajikawa et al., Y.Kajikawa et al., S.Noda et al.]
通讯作者:
S.Noda et al.
共 6 条
力学モデルを用いたダイナミックケイパビリティの技術・事業統合解析
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批准号:23K20623
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2024
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负责人:梶川 裕矢
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依托单位:
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批准号:21H00740
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.82万
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财政年份:2021
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负责人:梶川 裕矢
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依托单位:
地域クラスター間連携促進のための産業構造分析
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批准号:10F00318
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.96万
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财政年份:2010
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负责人:梶川 裕矢
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依托单位:
国内基金
海外基金
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高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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依托单位:
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批准号:
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