权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シリコンカーバイド表面の酸化及び金属薄膜との反応過程の解析と界面制御技術の確立

碳化硅表面氧化及与金属薄膜反应过程分析及界面控制技术建立

基本信息

批准号：
04J00228
负责人：
星野靖
金额：
$ 2.18万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2006
项目状态：
已结题

项目摘要

最終年度となる本年度もひきつづき、『シリコンカーバンド表面の酸化及び金属薄膜との反応過程の解析と界面制御技術の確立』というテーマに沿って研究活動を進めた。本年度主に注目した研究は、(1)シリコンカーバイド炭素終端面の構造・電子状態および金属との初期反応過程、(2)同位体を利用した酸化・酸窒化処理における窒素、炭素、酸素の挙動解析である。まず前者に関して、代表的な表面構造として3x3周期構造が知られているが、表面処理法により異なる3種類の3x3構造を取ることを新たに発見した(Surface Science印刷中)。また、産業技術総合研究所(関西センター)との共同研究の下これらの表面に対する第一原理理論計算を行い、その構造的安定性や局所電子状態に関し理論的にアプローチした。さらに、異なる構造を有する表面にNiを蒸着すると、表面モーフォロジーや界面電子状態に大きな違いが生じることが分かった。これら原子層レベルでの系統的な研究により、初期表面構造が金属半導体界面物性大きな影響を与えること示した。一方、後者の同位体を用いた酸窒化過程の研究では、酸素、窒素の深さ分布を中エネルギーイオン散乱および共鳴核反応(パリ第6・7大学ナノサイエンス研究所)により原子層レベルで測定し、反応初期における各原子の振舞を研究した(Surface Science 601,706(2007).)。また、基板に13Cを用い成長させたSiC基板を利用し、酸化処理による炭素の挙動を共鳴核反応法を用い分析した。これら一連の研究は、1月にレヴューとしてJournal of Physics Dに投稿された。

The final year is the year when the acidification of the surface and the reaction of the metal film are analyzed and the interface control technology is established This year's main research focuses on: (1) the structure, electronic state and initial reaction process of carbon terminal surface;(2) the kinetic analysis of carbon, carbon and acid during isotope utilization, acidification and acid treatment. The former is related to the surface structure represented by the 3x3 periodic structure, and the surface treatment method is different from the 3x3 structure represented by the 3x3 periodic structure (Surface Science printing). The first principle theoretical calculation of the surface, the stability of the structure, and the theoretical analysis of the electronic state of the office are jointly studied by the Institute of Industrial Technology (Kansai). The structure of the surface Ni evaporation, surface Ni evaporation, surface Ni The influence of initial surface structure on the physical properties of metal-semiconductor interface is shown in the study of atomic layer structure and system. Study on the Acidification Process in the Use of Isotopes of One and the Other: Study on the Deep Distribution of the Elements, and the Resonance Nuclear Reaction (Institute of Atomic Energy Research, No. 6 and No. 7 University): Study on the Vibration of the Atoms in the Initial Stage of the Reaction (Surface Science 601, 706 (2007).) SiC substrate is grown by using the method of acidizing and resonance nuclear reaction. This article is published in the Journal of Physics D.

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Atomic and electronic structures of ultrathin Ni-deposited SiC(000-1)-2x2 surface

超薄镍沉积SiC(000-1)-2x2表面的原子和电子结构

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Physical Review B 72
影响因子：
0
作者：
Y.Hoshino;Y.Matsubara;T.Nishiura;Y.Kido
通讯作者：
Y.Kido

Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1120) and the interface structure analyzed by ion scattering

6H-SiC(1120)氮氧化动力学及离子散射分析界面结构

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Surface Science 601
影响因子：
0
作者：
T.Okawa;R.Fukuyama;Y.Hoshino;T.Nishiumura;Y.Kido
通讯作者：
Y.Kido

Interfacial reactions between ultra-thin Ni layer and clean 6H-SiC(0001) surface

超薄镍层与清洁的6H-SiC(0001)表面之间的界面反应

DOI：
发表时间：
2004
期刊：
Surface Science 556
影响因子：
0
作者：
Y.Hoshino;S.Matsumoto;T.Nakada;Y.Kido
通讯作者：
Y.Kido

Initial growth processes of ultra-thin Ni-layers on Si(111) and electronic structure of epitaxially grown NiSi2

DOI：
10.1016/j.susc.2005.05.029
发表时间：
2005-08
期刊：
Surface Science
影响因子：
1.9
作者：
T. Nishimura;J. Takeda;Y. Asami;Y. Hoshino;Y. Kido
通讯作者：
T. Nishimura;J. Takeda;Y. Asami;Y. Hoshino;Y. Kido

Atomic scale characterization of HfO2∕Al2O3 thin films grown on nitrided and oxidized Si substrates

DOI：
10.1063/1.1808245
发表时间：
2004-11
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
T. Nishimura;T. Okazawa;Y. Hoshino;Y. Kido;K. Iwamoto;K. Tominaga;T. Nabatame;T. Yasuda;A. Toriumi
通讯作者：
T. Nishimura;T. Okazawa;Y. Hoshino;Y. Kido;K. Iwamoto;K. Tominaga;T. Nabatame;T. Yasuda;A. Toriumi