Charakterisierung des Oxidationsverhaltens von elektronischen Eigenschaften und der Mikrostruktur von magnetischen Tunnelkontakten mit oxidischen Barriereschichten

在信息技术领域，我们将继续为您提供更多的信息。Kernstück Dieser Schichtsyteme ist der Tunnelkontakt铁磁(FM)/隔离器(I)/铁磁(FM)，DER Bezüglich seines Mikrogefüges and seiner Chemischen Nahordnung in Diesem Forschungsvorhaben für FM=Co，CoFe and I=Al_2O_3，MgO，Ta2O，ZnO Charakterisiert wden soll。UHV-Präparation中的每一个问题都是由XPS分析的。这三种技术分别是：俄歇电子技术(AES)、电子技术(REM)和分析传输技术(ATEM)、电子设备(AFM)和电子设备(STM)。我是Mifklärung der Mikrostrukut and von Electrktronischen Eigenschaften des Tunnelkontakts，Fragen des Wachstum-and OxidationsVerhalten Sowie der Thermisch-Strukturellen Sowiet der Barriere and Der FM/I-Grizfläche。

Magnetische Schichtsysteme, die einen großen Tunnelmagnetowiderstand TMR bei Raumtemperatur zeigen, sind sehr interessant für zukünftige Anwendungen in der Informationstechnik (z. B. MRAM) und Mikrosystemtechnik. Kernstück dieser Schichtsyteme ist der Tunnelkontakt Ferromagnet (FM)/Isolator (I)/Ferromagnet (FM), der bezüglich seines Mikrogefüges und seiner chemischen Nahordnung in diesem Forschungsvorhaben für FM = Co, CoFe und I = Al2O3, MgO, Ta2O5, ZnO charakterisiert werden soll. Die in einer UHV-Präparationskammer hergestellten Proben werden nach jedem Behandlungsschritt einer Analyse mit der Photoelektronenspektroskopie (XPS) unterzogen. Ergänzend für die Charakterisierung sowie zur Aufklärung mikroskopischer Schädigungsmechanismen werden die Augerelektronenspektroskopie (AES), die Rasterelektronen- (REM) und die Analytische Transmissionselektronenmikroskopie (ATEM), die Rasterkraft- (AFM) und die Rastertunnelmikroskopie (STM) eingesetzt. Im Mittelpunkt der Untersuchungen stehen die Aufklärung der Mikrostruktur und von elektronischen Eigenschaften des Tunnelkontakts, Fragen des Wachstums- und Oxidationsverhaltens sowie der thermisch-strukturellen Stabilität der Barriere und der FM/I-Grenzfläche.