固溶限界ドーピングによる高温対応圧電結晶の合成とその燃焼圧センサー素子への展開
固溶限界ドーピングによる高温対応圧電結晶の合成とその燃焼圧センサー素子への展開
批准号:
17686058
负责人:
武田 博明
金额:
$15.81万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007
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英文摘要
本研究はエンジンのシリンダ内の燃焼圧力を直接検出する燃焼圧センサー材料の創成を目指し、ランガサイト(La_3Ga_5SiO_14)型圧電結晶に着目している。最終年度である本年度は、これまで開発してきたランガサイト型結晶におけるAl置換による結晶構造変化ならびに圧電特性変化について調べた。試料にはチョクラルスキー法にて作製した単結晶を用いた。Al置換ランガサイト型結晶はLa_3Ga_5-xAl_xSiO_14、La_3Ta_0.5Ga_5.5-xAl_xO_14、La_3Nb_0.5Ga_5.5-xAl_xO_14(それぞれLGASx,LTGAx,LNGAx)の3種類を用意し、各結晶は作製条件下で固溶限界までAlをドープさせた。結果、不純物を含まない単相としてLGAS0.9,LTGA0.5, LNGA0.2の組成であるAI置換結晶が得られた。結晶構造解析として、イメージングプレート型回折計を用い回折強度を測定し、構造パラメータ精密化を行った。圧電特性評価には得られた結晶を方位カットし、結晶基板を得、鏡面研磨を施した後、Au電極を形成したものを用いた。すべての結晶において、置換したAlはLaが占有する十面体席以外の陽イオン席に分布し、その優先配位する席は最小の四面体席、八面体席、四面体席の順であった。また、Al置換により室温における圧電定数d11が僅かに上昇することが分かった。圧電定数の温度依存性に関して、Al置換結晶とホスト結晶では殆ど変わらず、室温から400℃までの温度範囲においてLTGA0.5結晶が最も変動が小さいことがわかった。また、抵抗率一温度特性の測定では、As-grownのAl置換結晶の抵抗率がホスト結晶と比べ同温度において10-30倍程度の抵抗率を有していることが分かり、ランガサイト型結晶へのAl置換が抵抗率の上昇に有効であることを明らかにした。以上、本研究の成果よりLTGA0.5結晶が最も燃焼圧センサー材料として有望であると結論づけた。
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X-ray Topography on La_3Ta_0.5Ga_5.5O_14 Single Crystal Grown by Czochralski method
直拉法生长的La_3Ta_0.5Ga_5.5O_14单晶的X射线形貌
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Proc. Inter. Symp. Appl. Ferro. XVI
影响因子:
--
作者:
[Y. Yoneda, J. Mizuki, H. Takeda, T. Shiosaki]
通讯作者:
T. Shiosaki
X-ray topography on piezoelectric La_3Ga_5SiO_<14> single crystal
压电La_3Ga_5SiO_<14>单晶的X射线形貌
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 31
影响因子:
--
作者:
[Y.Yoneda, Y.Okajima, H.Takeda, T.Shiosaki, J.Mizuki]
通讯作者:
J.Mizuki
Growth and Electric Properties of Al-substituted Langasite-type La_3Ta_<0.5>Ga_<5.5>0_<14> Crystals at High Temperature
Al取代硅锰矿型La_3Ta_<0.5>Ga_<5.5>0_<14>晶体的高温生长及电性能
DOI:
--
发表时间:
期刊:
Key Eng.Mater. (印刷中)
影响因子:
--
作者:
[H.Takeda, S.Tanaka, H.Shimizu, T.Nishida, T.Shiosaki]
通讯作者:
T.Shiosaki
X-ray Topography on La_3Ta_<0.5>Ga_<5.5>O_<14> Single Crystal Grown by Czochralski method
直拉法生长的La_3Ta_<0.5>Ga_<5.5>O_<14>单晶的X射线形貌
DOI:
--
发表时间:
期刊:
Proc. Inter. Symp. Appl. Ferro. XVI (印刷中)
影响因子:
--
作者:
[Y.Yoneda, J.Mizuki, H.Takeda, T.Shiosaki]
通讯作者:
T.Shiosaki
Crystal Growth and Piezoelectric Properties of R_3Ga_5SiO_<14> and RCa_4O(BO_3)_3 (R : Rare-earth Elements)
R_3Ga_5SiO_<14>和RCa_4O(BO_3)_3(R:稀土元素)的晶体生长和压电特性
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J.Alloy Compd. 408-412
影响因子:
--
作者:
[H.Takeda, H.Nakao, S.Izukawa, H.Shimizu, T.Nishida, S.Okamura, T.Shiosaki]
通讯作者:
T.Shiosaki
共 12 条
ケイ酸塩系新圧電結晶の結晶構造に基づく材料設計と高温振動子の開発
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批准号:23K23430
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.99万
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财政年份:2024
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负责人:武田 博明
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依托单位:
ケイ酸塩系新圧電結晶の結晶構造に基づく材料設計と高温振動子の開発
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批准号:22H02162
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.07万
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财政年份:2022
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负责人:武田 博明
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依托单位:
ドナー・アクセプター共ドープした非鉛PTCRデバイスの作製と粒界の電場応答解析
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批准号:11F01364
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:武田 博明
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依托单位:
環境調和型無鉛圧電アクチュエータ材料の開発
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批准号:19016018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.86万
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财政年份:2007
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负责人:武田 博明
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依托单位:
高温対応圧電アクチュエータを目指した高Tc及び高結合強誘電体単結晶の合成と評価
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批准号:17040020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:2005
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负责人:武田 博明
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依托单位:
新規ビスマス層状酸化物強誘電体の高性能圧電材料への展開
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批准号:14750238
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2002
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负责人:武田 博明
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依托单位:
海外基金