Schnelle Datenregeneratoren für die hochbitratige opto-elektronische Datenübertragung basierend auf Silizium-CMOS-Technologie
基于硅 CMOS 技术的用于高比特率光电数据传输的快速数据再生器
基本信息
- 批准号:5351888
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2002
- 资助国家:德国
- 起止时间:2001-12-31 至 2004-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Gegenstand des beantragten Projektes ist die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen für die Datenregeneration in hochbitratigen opto-elektronischen Datenübertragungsstrecken. Konzepte zur Realisierung von Taktrückgewinnung und Datenentscheider für NRZ-Datenraten von 10 Gbit/s auf der Basis von Si-CMOS-Technologien sollen untersucht und anhand von Demonstratoren verifiziert werden. Sofern diese Konzepte Vorteile auch bei III/VTechnologien erwarten lassen, sollen darüber hinaus entsprechende Untersuchungen bei 40 Gbit/s NRZ- und gegebenenfalls RZ-Datenrate durchgeführt und ebenfalls durch Demonstratoren verifiziert werden. Die Realisierung der ASICs soll im Rahmen von direkten bilateralen Kontakten zu Halbleiterherstellem oder über Serviceangebote z.B. im Rahmen von CMP in Europa und MOSES in den USA erfolgen. Das beschriebene Vorhaben ist Teil eines gemeinsam mit Kollegen von der Universität Stuttgart und der Southeast University Nanjing, China, bei der DFG sowie mit dem NSFC beantragten Projektes, das die Entwicklung kompletter Chip-Sätze für Sender und Empfänger opto-elektronischer Datenübertragungsstrecken bei 10 Gbit/s und sowie von verbesserten Komponenten für 40 Gbit/s zum Ziel hat.
Gegenstand des beantragten Projektes ist die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen für die Datenregeneration in hochbitratigen opto-elektronischen Datenübertragungsstrecken. Konzepte zur Realisierung von Taktrückgewinnung und Datenentscheider für NRZ Datenraten von 10 Gbit/s auf der Basis von Si-CMOS-Technologien sollen untersucht und anhand von Demonstroren verifiziert韦尔登.在III/V技术上,这种Konzepte Vorteile也可以通过韦尔登验证,在40 Gbit/s NRZ-和RZ-Datenrate上进行测试。ASIC的实现是通过直接的双边连接来实现的,这种连接可以是Halbleiterherstellem或über Serviceangebote zB。在欧洲的CMP和美国的摩西的作品中。本论文是由斯图加特大学和南京东南大学合作完成的一项课题,是国家自然科学基金资助的一个设计组项目,该项目旨在将光电子数据采集和存储芯片的研制工作提高到10 Gbit/s,并将其提高到40 Gbit/s。
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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- 批准号:
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- 资助金额:
-- - 项目类别:
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- 批准号:
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- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants