Quasi-ballistic transport modeling of emerging MOSFETs with new channel materials and new device architectures

采用新沟道材料和新器件架构的新兴 MOSFET 的准弹道输运建模

• 批准号: 18560334
• 负责人: TSUCHIYA Hideaki
• 金额: $ 2.63万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560334/
• 关键词: 電子デバイス; 集積回路; ナノスケールMOSFET; バリスティック輸送; 量子補正モンテカル法; ショットキーMOSFET; 高移動度チャネルMOSFET; 電流駆動力; ナノワイヤトランジスタ; ウィグナー関数法; 電子デバイス・集積回路; 量子効果; 準バリスティック輸送; 量子補正モンテカル; 非Si材料MOSFET; テクノロジーブースター; 新チャネル構造MOSFET; 3次元構造MOSFET; 量子補正モンテカルロ法; 粒子分割法; 量子閉じ込め効果

This project focused on the development of a quantum mechanical design tool and a device design guideline to realize ultra-high performance information technology by introducing new channel materials and new device architectures. We found that an optimum structural design of source and drain electrodes is necessary for III-V MOSFETs to outperform the conventional Si-MOSFETs. Furthermore, in Si nanowire MOSFETs with gate-all-around architecture, the source-drain tunneling effects were found to possibly limit the further downscaling below 10nm gate length.

该项目的重点是开发量子力学设计工具和器件设计指南，通过引入新的通道材料和新的器件结构来实现超高性能信息技术。我们发现，一个最佳的源极和漏极的结构设计是必要的III-V MOSFET优于传统的Si-MOSFET。此外，在硅纳米线MOSFET与栅极全包围架构，源漏隧穿效应被发现可能限制进一步缩小低于10 nm的栅极长度。

项目成果

シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション

硅纳米线晶体管的三维量子输运模拟

• 发表时间: 2008
• 作者: 山田吉宏;土屋英昭;小川真人
• 通讯作者: 小川真人

バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング

源端电位工程提高弹道效率

• 发表时间: 2008
• 作者: 土屋英昭;王威;高木信一
• 通讯作者: 高木信一

極薄Ge-on-Insulator(GOI)n-チャネルMOSFETの電流駆動力

超薄绝缘体上Ge (GOI) n沟道MOSFET的电流驱动功率

• 发表时间: 2007
• 作者: 東 祐介;森 隆志;土屋 英昭
• 通讯作者: 土屋 英昭

バリスティック輸送がSi-MOSFETのオフ電流に与える影響

弹道输运对 Si-MOSFET 断态电流的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: 山田吉宏;土屋英昭;小川真人
• 通讯作者: 小川真人

Comparative study on drive current of III-V semiconductor, Ge and Si channel n-MOSFETs based on quantum-corrected Monte Carlo simulation

• DOI: 10.1109/tnano.2007.915002
• 发表时间: 2008-03-01
• 期刊: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY
• 影响因子: 2.4
• 作者: Mori, Takashi;Azuma, Yusuke;Miyoshi, Tanroku
• 通讯作者: Miyoshi, Tanroku