Research on green nanodevices toward the realization of ultra-low power LSI

绿色纳米器件研究，实现超低功耗LSI

• 批准号: 23560395
• 负责人: TSUCHIYA Hideaki
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-28 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560395/
• 关键词: 高移動度材料; グラフェンFET; ナノワイヤFET; ジャンクションレストランジスタ; モンテカルロシミュレーション; 原子論; 量子力学的効果; バリスティック輸送; 低電圧駆動; III-V MOSFET; グラフェン; ナノワイヤ; III-V MOS; ウィグナーモンテカルロ法; ジャンクションレス・トランジスタ; シリセン; ゲルマネン; ナノデバイスシミュレーション; グリーンナノデバイス; 低消費電力; グラフェンナノ材料; ウィグナー・モンテカル

项目成果

Influence of Band-Gap Opening on Ballistic Electron Transport in Bilayer Graphene and Graphene Nanoribbon FETs

• DOI: 10.1109/ted.2011.2161992
• 发表时间: 2011-08
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices
• 影响因子: 3.1
• 作者: R. Sako;H. Tsuchiya;M. Ogawa

The impact of increased deformation potential at MOS interface on quasi-ballistic transport in ultrathin channel MOSFETs scaled down to sub-10 nm channel length

MOS 界面变形势增加对沟道长度缩小至 10 nm 以下的超薄沟道 MOSFET 中准弹道输运的影响

• DOI: 10.1109/iedm.2013.6724613
• 发表时间: 2013
• 期刊: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting
• 作者: S. Koba;R. Ishida;Y. Kubota;H. Tsuchiya;Y. Kamakura;N. Mori;M. Ogawa
• 通讯作者: M. Ogawa

バンドギャップ開口がグラフェンFETのバリスティック性能に及ぼす影響

带隙孔径对石墨烯 FET 弹道性能的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 坂田季之;多良信太郎;堀田昌志;羽野光夫;迫龍太郎，土屋英昭，小川真人
• 通讯作者: 迫龍太郎，土屋英昭，小川真人

Effects of Increased Acoustic Phonon Deformation Potential and Surface Roughness Scattering on Quasi-Ballistic Transport in Ultrascaled Si-MOSFETs

声学声子变形势和表面粗糙度散射的增加对超大规模 Si-MOSFET 中准弹道输运的影响

• DOI: 10.7567/jjap.53.114301
• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Shunsuke Koba;Ryoma Ishida;Yuko Kubota;Hideaki Tsuchiya;Yoshinari Kamakura;Nobuya Mori;and Matsuto Ogawa
• 通讯作者: and Matsuto Ogawa

絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析

绝缘基板上石墨烯的电子迁移率分析

• 发表时间: 2014
• 作者: 佐野芳明・奥村次徳編;本城和彦他;平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人
• 通讯作者: 平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人