Research on green nanodevices toward the realization of ultra-low power LSI
Research on green nanodevices toward the realization of ultra-low power LSI
绿色纳米器件研究，实现超低功耗LSI
批准号：
23560395
负责人：
TSUCHIYA Hideaki
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
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DOI：
10.1109/ted.2011.2161992
发表时间：
2011-08
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
[R. Sako;H. Tsuchiya;M. Ogawa]
通讯作者：
R. Sako;H. Tsuchiya;M. Ogawa
バンドギャップ開口がグラフェンFETのバリスティック性能に及ぼす影響
带隙孔径对石墨烯 FET 弹道性能的影响
带隙孔径对石墨烯 FET 弹道性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坂田季之, 多良信太郎, 堀田昌志, 羽野光夫, 迫龍太郎，土屋英昭，小川真人]
通讯作者：
迫龍太郎，土屋英昭，小川真人
絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析
绝缘基板上石墨烯的电子迁移率分析
绝缘基板上石墨烯的电子迁移率分析
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐野芳明・奥村次徳編, 本城和彦他, 平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人]
通讯作者：
平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
使用维格纳蒙特卡罗方法对超细 III-V MOSFET 进行量子输运分析
使用维格纳蒙特卡罗方法对超细 III-V MOSFET 进行量子输运分析
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[結城亨, 堀田昌志, 羽野光夫, 粟井郁雄, 大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人]
通讯作者：
大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人
Effects of Increased Acoustic Phonon Deformation Potential and Surface Roughness Scattering on Quasi-Ballistic Transport in Ultrascaled Si-MOSFETs
声学声子变形势和表面粗糙度散射的增加对超大规模 Si-MOSFET 中准弹道输运的影响
声学声子变形势和表面粗糙度散射的增加对超大规模 Si-MOSFET 中准弹道输运的影响
DOI：
10.7567/jjap.53.114301
发表时间：
2014
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa]
通讯作者：
and Matsuto Ogawa
共 61 条
Establishment of a network of model-monkey supply forhuman medical researches
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批准号：20500371
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2008
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负责人：TSUCHIYA Hideaki
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依托单位：
Quasi-ballistic transport modeling of emerging MOSFETs with new channel materials and new device architectures
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批准号：18560334
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.63万
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财政年份：2006
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负责人：TSUCHIYA Hideaki
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依托单位：
Research of quantum transport in silicon integrated devices
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批准号：15560295
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2003
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负责人：TSUCHIYA Hideaki
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依托单位：