Study of nanostructure fabrication technology for light-wave control

光波控制纳米结构制备技术研究

• 批准号: 18560353
• 负责人: KAMIYAMA Satoshi
• 金额: $ 2.52万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560353/
• 关键词: LED; 半導体; 光取出し効率; 電子線露光; モスアイ構造; 光取り出し効率; 光制御; 窒化物; SiC; ナノ構造; moth-eye; Moth-Eye; 発光ダイオード; リソグラフィー; エッチング

周期300nmの三角格子配置を有するモスアイ構造の作製方法を検討し、テーパー角度制御のためのエッチングマスク材構成を最適化することができた。また、理論計算によって予測された光透過率の角度依存性、光取出し効率の周期依存性は、実験値と定性的に一致することが確認できた。さらに、周期が500nm-600nmの範囲においては、モスアイ構造において反射される光が周期によって決定されるブラッグの回折条件を満たす反射角に変化することを見出し、SiC基板上青色LEDにこれを適用すると240%の光出力向上を得ることができた。

A method for manufacturing a triangular lattice structure with a period of 300nm is discussed, and an angle control method is optimized. Theoretical calculations confirm the angular dependence of light transmittance and the periodic dependence of light extraction. In addition, the range of the period from 500nm to 600nm is determined by the reflection time of the light. The reflection time of the light is determined by the reflection time of the light. The reflection time of the light is determined by the reflection time of the light. The light output of the cyan LED on the SiC substrate is determined by the reflection time of the light.

项目成果

NおよびAlをドープした6H-SiCの光学特性評価

N、Al掺杂6H-SiC光学性能评价

• 发表时间: 2008
• 作者: 三好晃平;上山智;岩谷素顕;天野浩;赤崎勇
• 通讯作者: 赤崎勇

Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes

大型GaInN发光二极管电极配置的优化

• 发表时间: 2009
• 期刊: Physica Status Solidi (C) Vol.6, Issue 6
• 作者: 落合渉;河合良介;鈴木敦志;岩谷素顕;天野浩;上山智;赤崎勇
• 通讯作者: 赤崎勇

発光素子、発光素子用サファイア基板、および発光素子用サファイア基板の製造方法

发光装置、发光装置用蓝宝石基板及发光装置用蓝宝石基板的制造方法

• 发表时间: 2008

発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法

发光装置、发光装置用蓝宝石基板及发光装置用蓝宝石基板的制造方法

• 发表时间: 2008

窒素およびホウ素をドープした6H-SiCのアニール効果

氮、硼掺杂6H-SiC的退火效应

• 发表时间: 2007
• 作者: 柴田陽子;村田諭是;生田美奈;杉浦正明;林啓二;岩谷素顕;上山智;天野浩;赤崎勇;新田州後;木下博之
• 通讯作者: 木下博之