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Demonstration of ultra-high speed light emitters and detectors for visible light communication
用于可见光通信的超高速光发射器和探测器的演示
基本信息
- 批准号：24360140
- 负责人：
- 金额：$ 11.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
モスアイ加工サファイア基板を用いた窒化物系LEDの性能向上検討
采用蛾眼加工蓝宝石衬底提高氮化物LED性能的研究
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：曽和美保子;北野司;近藤俊行;森みどり;鈴木敦志;難波江宏一,上山智;岩谷素顕;竹内哲也;赤﨑勇
- 通讯作者：赤﨑勇
窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討
通过激光加工提高氮化物基 LED 光提取效率的研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：花井駿;鈴木敦志;北野司;飯田大輔;加藤貴久;岩谷素顕;竹内 哲也;上山智;赤﨑勇
- 通讯作者：赤﨑勇
Advantages of the moth‐eye patterned sapphire substrate for the high performance nitride based LEDs
- DOI：10.1002/pssc.201300492
- 发表时间：2014-02
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kondo;T. Kitano;Atsushi Suzuki;M. Mori;K. Naniwae;S. Kamiyama;M. Iwaya;T. Takeuchi;I. Akasaki
- 通讯作者：T. Kondo;T. Kitano;Atsushi Suzuki;M. Mori;K. Naniwae;S. Kamiyama;M. Iwaya;T. Takeuchi;I. Akasaki
高キャリア濃度Siドープn型Al0.03Ga0.97N上のAg電極を用いた高反射電極の検討
高载流子浓度Si掺杂n型Al0.03Ga0.97N上Ag电极高反射电极的研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：河合俊介;飯田大輔;岩谷素顕;竹内哲也;上山智;赤﨑勇
- 通讯作者：赤﨑勇
High sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors
高灵敏度III族氮化物半导体基异质结构场效应晶体管型光电传感器
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Iwaya;M. Ishiguro;M. Mizuno;K. Ikeda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;I. Akasaki
- 通讯作者：I. Akasaki
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KAMIYAMA Satoshi其他文献
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