Study on single electron tunneling by means of TEM/STM to develop single electron devices operated at room temperature
利用TEM/STM单电子隧道效应研究开发室温单电子器件
基本信息
- 批准号:18560640
- 负责人:
- 金额:$ 2.53万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
省エネデバイスとして注目されている単電子デバイスの室温動作確認を念頭に,ピエゾ素子搭載型透過電子顕微鏡ホルダー(TEM/STMホルダー)およびその制御システムを開発した.先端10nm程度の先鋭電極間に数個のナノ粒子を挟み,その電気伝導特性を評価したところ低バイアス領域においてほとんど電流が流れないクーロンプロッケイド(CB(を観測できた。これは単電子トンネル現象(SET(に特徴的な現象である.数nmのナノ粒子を用いて室温動作SETデバイスの得られることを実験的に示すことができたといえる.
The Ministry of Education's attention to the されている単electronic デバイスの room temperature operation confirmation を idea に, ピエゾ element equipped with through-electron micromirror ホルダー (TEM/S TMホルダー)およびそのcontrolled システムを开発した.Advanced 10nm process The first step is to use a few nanoparticles between the electrodes to determine the electrical conductivity characteristics.たところlow バイアス区においてほとんどcurrent が流れないクーロンプロッケイド(CB(を観measurementできた. これは単electronic トンネルphenomenon(S ET(に特徴なphenomenonである.Several nmのナノ particles are usedいて room temperature action S ETデバイスの得られることを実験的に Show すことができたといえる.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Full adder operation based on Si nanodot array device
基于硅纳米点阵列器件的全加器运算
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:脇田誓子;泉安彦;山本憲幸;松尾剛明;久米利明;澤田秀幸;赤池昭紀;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;辻直人;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;辻直人;Naoto Tsuji;辻直人;Naoto Tsuji;Naoto Tsuji;辻直人;Naoto Tsuji;辻直人;Naoto Tsuji;曹民圭;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;曹民圭;曹民圭;開澤拓弥
- 通讯作者:開澤拓弥
MOD法により作製したPCMO薄膜の特牲
MOD法制备PCMO薄膜的特性
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:開澤拓弥;有田正志,...;高橋庸夫(6);開澤拓弥;佐々木淑子
- 通讯作者:佐々木淑子
Electric conduction of single layered Fe nano-dot films
单层铁纳米点薄膜的导电性
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;徳田良平;有田正志;藤井孝史;高橋庸夫;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;木下恭一;曹民圭;雨宮好仁;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;若杉恭平;曹民圭;曹民圭;有田正志
- 通讯作者:有田正志
PCMOによる抵抗変化型メモリのパルス測定評価
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- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;徳田良平;有田正志;藤井孝史;高橋庸夫;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;木下恭一;曹民圭;雨宮好仁;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;若杉恭平;曹民圭;曹民圭;有田正志;開澤拓弥;高橋庸夫;笹川芳晃;近藤洋史
- 通讯作者:近藤洋史
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