Simulation of deposition processes for sputtered layer systems by molecular dynamics

基于分子动力学方法的动力学系统动力学研究。[3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]《技术进步与材料》是《技术进步与材料》一书的一部分。Das zu entwickelnde molecular dynamische modelell des Schichtwachstums verkn<s:1> pft die - fr die molecular dynamik relevant .输入参数为原子wehselwirkungen， - prozessrelevant Kenngrößen wiTeilchenströme, Energiedichten and prozesstemperature sowe - material- und ingenieurwissenschaftlich relevant Kenngrößen wigitterfehlpassung, Gitterrelaxation, Eigenspannungen and Adhäsion。“分子动力学模拟”是指分子动力学过程的数学模型，“分子动力学模拟”是指分子动力学过程的数学模型。Längerfristiges Ziel ist . es， die分子动力学仿真研究<e:1> [j]。

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung eines umfassenden Simulationswerkzeuges zur Beschreibung des Abscheideprozesses von gesputterten Schichtsystemen auf Basis der Molekulardynamik-Methode. Sie soll zur direkten Korrelierung atomistischer und prozessrelevanter Kenngrößen mit bestimmbaren mesoskopischen Schichteigenschaften führen. Der Fokus dieses Werkzeuges liegt auf der Berechnung der Prozess- und Materialdaten. Das zu entwickelnde molekulardynamische Modell des Schichtwachstums verknüpft die - für die Molekulardynamik relevanten Inputparameter wie atomare Wechselwirkungen, - prozessrelevanten Kenngrößen wie Teilchenströme, Energiedichten und Prozesstemperaturen sowie - material- und ingenieurwissenschaftlich relevanten Kenngrößen wie Gitterfehlpassung, Gitterrelaxation, Eigenspannungen und Adhäsion. Die aus der molekulardynamischen Simulation gewonnenen Daten werden zur Schematisierung des Schichtwachstumsprozesses eingesetzt und mit den realen Messergebnissen abgeglichen. Längerfristiges Ziel ist es, die molekulardynamische Simulation für das gezielte Schichtengineering zu nutzen.