Simulation of deposition processes for sputtered layer systems by molecular dynamics

在此基础上，提出了一种新的理论和方法。他说：“这是一件非常重要的事情，我不知道该怎么做。福库斯认为，这是一种进步和物质进步。Das zu entwickelnde molekularDynamische Modelell des Schichtwachstum verknüpft die-für die MolekularDynamik k相关的输入参数为原子，-过程相关的Kenngröçen Wie Teilchenströme，Energiedichen and Prozes System peraturen Sowie-Material-and Energiedichen and Prozes System peraturen Sowie-Material-and Increenieurur Sowie-Material-and Wie GitterfehPassung，GitterRelation，Eigenspannungen and adhäsion。在此基础上，提出了一种新的解决方案，以解决实际问题。L认为，这是一种新的、动态的仿真技术。

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung eines umfassenden Simulationswerkzeuges zur Beschreibung des Abscheideprozesses von gesputterten Schichtsystemen auf Basis der Molekulardynamik-Methode. Sie soll zur direkten Korrelierung atomistischer und prozessrelevanter Kenngrößen mit bestimmbaren mesoskopischen Schichteigenschaften führen. Der Fokus dieses Werkzeuges liegt auf der Berechnung der Prozess- und Materialdaten. Das zu entwickelnde molekulardynamische Modell des Schichtwachstums verknüpft die - für die Molekulardynamik relevanten Inputparameter wie atomare Wechselwirkungen, - prozessrelevanten Kenngrößen wie Teilchenströme, Energiedichten und Prozesstemperaturen sowie - material- und ingenieurwissenschaftlich relevanten Kenngrößen wie Gitterfehlpassung, Gitterrelaxation, Eigenspannungen und Adhäsion. Die aus der molekulardynamischen Simulation gewonnenen Daten werden zur Schematisierung des Schichtwachstumsprozesses eingesetzt und mit den realen Messergebnissen abgeglichen. Längerfristiges Ziel ist es, die molekulardynamische Simulation für das gezielte Schichtengineering zu nutzen.