On Effects of Gate Bias on Hole Effective Mass and Mobility in Strained-Ge Channel Structures
On Effects of Gate Bias on Hole Effective Mass and Mobility in Strained-Ge Channel Structures
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栅极偏置对应变Ge沟道结构中空穴有效质量和迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Sawano;Y.Kunishi;Y.Satoh;K.Toyama;K.Arimoto;T.Okamoto;N.Usami;K.Nakagawa;Y.Shiraki
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远程掺杂Ge量子阱中的有效质量
影响因子：
4
作者：
B. Rössner;G. Isella;H. Känel
通讯作者：
H. Känel
DOI：
10.1103/physrevb.38.10798
发表时间：
1988-11
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Gold
通讯作者：
Gold
具有高空穴迁移率的调制掺杂 SiGe/Ge/SiGe 异质结构的低温缓冲生长
影响因子：
2.1
作者：
T. Ueno;T. Irisawa;Y. Shiraki;A. Uedono;S. Tanigawa
通讯作者：
S. Tanigawa
Ge 中高迁移率二维空穴气体在松弛 Si/SiGe、Ge/SiGe 缓冲层和 Ge 衬底上的生长和特性
影响因子：
1.8
作者：
J. Nützel;C. Engelhardt;R. Wiesner;D. Toebben;M. Holzmann;G. Abstreiter
通讯作者：
G. Abstreiter
Ge/Si0.33Ge0.67/Si(001) p 型调制掺杂异质结构中具有极高的室温二维空穴气体迁移率
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Myronov;T. Irisawa;O. Mironov;S. Koh;Y. Shiraki;T. Whall;E. Parker
通讯作者：
E. Parker