Stoichiometry-controlled high k-dielectrics for THz operating devices
Stoichiometry-controlled high k-dielectrics for THz operating devices
用于太赫兹操作装置的化学计量控制的高 k 电介质
批准号：
18360309
负责人：
OYAMA Yutaka
金额：
$10.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)
英文摘要
1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)
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会议论文
Characteristics of electron beam-evaporated high k-TiOx thin films on n-GaAs
n-GaAs 上电子束蒸发高 k-TiOx 薄膜的特性
n-GaAs 上电子束蒸发高 k-TiOx 薄膜的特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Physical Status Solidi(c)4 No.5
影响因子：
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作者：
[Yutaka Oyama, Takeo Ohno, Taiji Sato and Jun-ichi Nishizawa]
通讯作者：
Taiji Sato and Jun-ichi Nishizawa
MOCVD法によるn-Si上高誘電率TiOx薄膜の評価
MOCVD法评价n-Si上高介电常数TiOx薄膜
MOCVD法评价n-Si上高介电常数TiOx薄膜
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yutaka Oyama, Takeo Ohno, Taiji Sato, Jun-ichi Nishizawa, 小原芳洋]
通讯作者：
小原芳洋
Defect aspects in ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions implemented with molecular layer epitaxy
采用分子层外延实现的超浅 GaAs 侧壁隧道结的缺陷方面
采用分子层外延实现的超浅 GaAs 侧壁隧道结的缺陷方面
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Journal of Physics and Chemistry of Solids 69(2-3)
影响因子：
--
作者：
[東田賢二, 田中將己, Yutaka Oyama]
通讯作者：
Yutaka Oyama
Room temperature operating continuous wave terahertz light source via shallow electronic states transitions in semiconductors
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批准号：23656392
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2011
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负责人：OYAMA Yutaka
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依托单位：