Development of InSb compound semiconductor photon detector with high detection efficiency and high counting rate and its application to medical diagnosis

高探测效率、高计数率InSb化合物半导体光子探测器的研制及其在医学诊断中的应用

• 批准号: 18360455
• 负责人: KANNO Ikuo
• 金额: $ 11.3万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360455/
• 关键词: 原子力計測; 放射線物理; InSb; ゾーンメルト法; 垂直ブリッジマン法; 放射線検出器; 低温; 比抵抗値; 不純物濃度; X線検出器; 結晶育成; ゾーンメルト; 垂直ブリッジマン; ホール測定; 移動度

化合物半導体InSb結晶を垂直ブリッジマン法及びゾーンメルト法で育成した.また, 結晶の電気特性測定を行った.垂直ブリッジマン法で製作した結晶は, 比抵抗値が高い値を示したが, X 線回折測定によりこれは結晶性が悪いためである事が分かった.一方, ゾーンメルト法で育成した結晶は, 比抵抗値, Hall 移動度ともに, 市販品程度の性質を示した.しかし, 結晶性に関しては, 市販品よりも劣っていた.これまでの成果を生かす事で, 今後, より高い性能を持つInSb 結晶の育成が見込まれる.そのInSb 結晶を用いた光子検出器を医療診断に応用する

Compound semiconductor InSb crystal を vertical ブ リ ッ ジ マ ン method and び ゾ ー ン メ ル ト method で bred し た. ま た, crystallization の electric 気 measuring line を っ た. Method of vertical ブ リ ッ ジ マ ン で making し た crystallization は, higher than the resistance numerical が い numerical を shown し た が, determination of X-ray inflexion に よ り こ れ は crystalline が 悪 い た め で あ る matter が points か っ た. Side, ゾ ー ン メ ル ト method で bred し た crystallization は, than on resistance numerical, Hall mobile degrees と も に, city vendor product degree の nature を shown し た. し か し, crystalline に masato し て は, city vendor product よ り も substandard っ て い た. こ れ ま で の results を raw か で す matter, in the future, よ り い high performance を hold つ InSb crystal の bred が see 込 ま れ る. そ の InSb crystal を with い た photon 検 extractor を medical diagnostic に 応 with す る

项目成果

Undoped 型InSb ウエハを用いたショットキー検出器の速い応答性

使用未掺杂 InSb 晶圆的肖特基探测器的快速响应

• 发表时间: 2007
• 作者: 古結義崇;菱木繁臣;神野郁夫;中村龍也;片桐政樹
• 通讯作者: 片桐政樹

InSb 結晶の育成と評価

InSb晶体的生长和评估

• 发表时间: 2008
• 作者: 上川直紀;森田保成;神野郁夫
• 通讯作者: 神野郁夫

ゾーンメルト法によるInSb結晶の育成と評価

区域熔化法InSb晶体的生长和评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 森田保成;上川直紀;小梶美幸;神野郁夫
• 通讯作者: 神野郁夫

ゾーンメルト法によるInSb 結晶の育成と評価

区域熔化法InSb晶体的生长和评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 森田保成;上川直紀;小梶美幸;神野郁夫
• 通讯作者: 神野郁夫

Feasibility of InSb Compound Semiconductor as the Substrate of High Energy Resolution, High Counting Rate Detectors

InSb化合物半导体作为高能量分辨率、高计数率探测器衬底的可行性

• 发表时间: 2007
• 作者: 菅原慎悦;班目春樹;木村浩;I. Kanno
• 通讯作者: I. Kanno