回路シミュレーションのためのMOSFETモデルHiSIM
用于电路仿真的 MOSFET 模型 HiSIM
基本信息
- 批准号:07J09478
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度はSOI-MOSFETのコンパクトモデル(HiSIM-SOI)を実用化する目的で、以下の作業を行った。1.SOI-MOSFETにおけるフローティング効果の解析とモデル化に関しては、実際のSOI-MOSFETを実測し基盤浮遊効果を観測した。またこの実測値を用いて開発したトランジスタモデルHiSIM-SOIの評価を行った。測定結果をもとに基盤浮遊効果のモデルに修正を加えた。2.SOI-MOSFETモデルの実用化に向けたソースコード精査を行った。今年度は回路モデルとして実用上問題となってくる計算速度の向上を図ったソースコードの精査を行った。また同時にモデルの計算結果に不連続や、非物理的な振る舞いがある場合、正確な回路計算の妨げになるので、この点においても改善をすすめた。またDouble Gate MOSFETモデル(HiSIM-DG)を開発するために、3.電流式を改良した。以前のモデルでは従来のBulk-MOSFETの式を流用していたのを、今回の開発でDG-MOSFETの構造を考慮したものに変更した。4.非対称デバイスへのモデル拡張を行った。この結果はM2の学生により2009年5月にNSTI NANOTECH2009において発表される。
This year, the following operations were carried out for the purpose of implementing the HiSIM-SOI MOSFET. 1.SOI-MOSFET test results analysis and test results in real time The evaluation of HiSIM-SOI is carried out in the middle of the test. The results of the measurements were corrected. 2.SOI-MOSFET circuit implementation to improve the quality of the circuit. This year, the loop is closed and the problem is solved. The calculation results of the loop are not connected, and the vibration of the loop is not connected. Double Gate MOSFET (HiSIM-DG) In the past, the structure of Bulk-MOSFET has been changed due to the change of current, and the structure of DG-MOSFET has been changed due to the change of current. 4. No, it's not. The results were published in May 2009 by NSTI NANOTECH.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ダブルゲートMOSFETの回路シミュレーション用コンパクトモデル
双栅极 MOSFET 电路仿真的紧凑模型
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Rie Wakabayashi;et. al.;小山 剛史;竹内正之;小山 剛史;貞近倫夫
- 通讯作者:貞近倫夫
Compact Double-Gate MOSFET Model Correctly Predicting Volume-Inversion Effects
紧凑型双栅极 MOSFET 模型正确预测体积反转效应
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:若林里衣;他.;貞近倫夫
- 通讯作者:貞近倫夫
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
貞近 倫夫其他文献
貞近 倫夫的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
Study on performance improvement of SOI MOSFET single-photon detector
SOI MOSFET单光子探测器性能改进研究
- 批准号:
25286068 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on Performance Increase and Fluctuation Suppression in Thin Film SOI MOSFET by utilizing quantum effects
利用量子效应提高薄膜SOI MOSFET性能并抑制波动的研究
- 批准号:
10555117 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).