回路シミュレーションのためのMOSFETモデルHiSIM

本年度はSOI-MOSFETのコンパクトモデル(HiSIM-SOI)を実用化する目的で、以下の作業を行った。1.SOI-MOSFETにおけるフローティング効果の解析とモデル化に関しては、実際のSOI-MOSFETを実測し基盤浮遊効果を観測した。またこの実測値を用いて開発したトランジスタモデルHiSIM-SOIの評価を行った。測定結果をもとに基盤浮遊効果のモデルに修正を加えた。2.SOI-MOSFETモデルの実用化に向けたソースコード精査を行った。今年度は回路モデルとして実用上問題となってくる計算速度の向上を図ったソースコードの精査を行った。また同時にモデルの計算結果に不連続や、非物理的な振る舞いがある場合、正確な回路計算の妨げになるので、この点においても改善をすすめた。またDouble Gate MOSFETモデル(HiSIM-DG)を開発するために、3.電流式を改良した。以前のモデルでは従来のBulk-MOSFETの式を流用していたのを、今回の開発でDG-MOSFETの構造を考慮したものに変更した。4.非対称デバイスへのモデル拡張を行った。この結果はM2の学生により2009年5月にNSTI NANOTECH2009において発表される。

本年度はSOI-MOSFETのコンパクトモデル(HiSIM-SOI)を実用化する目的で、以下の作業を行った。1.SOI-MOSFETにおけるフローティング効果の解析とモデル化に関しては、実際のSOI-MOSFETを実測し基盤浮遊効果を観測した。またこの実測値を用いて開発したトランジスタモデルHiSIM-SOIの評価を行った。測定結果をもとに基盤浮遊効果のモデルに修正を加えた。2.SOI-MOSFETモデルの実用化に向けたソースコード精査を行った。今年度は回路モデルとして実用上問題となってくる計算速度の向上を図ったソースコードの精査を行った。また同時にモデルの計算結果に不連続や、非物理的な振る舞いがある場合、正確な回路計算の妨げになるので、この点においても改善をすすめた。またDouble Gate MOSFETモデル(HiSIM-DG)を開発するために、3.電流式を改良した。以前のモデルでは従来のBulk-MOSFETの式を流用していたのを、今回の開発でDG-MOSFETの構造を考慮したものに変更した。4.非対称デバイスへのモデル拡張を行った。この結果はM2の学生により2009年5月にNSTI NANOTECH2009において発表される。