High efficiency chemical machining process for wide bandgap semiconductor substrate
宽带隙半导体衬底高效化学加工工艺
基本信息
- 批准号:18686014
- 负责人:
- 金额:$ 16.89万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。
The hardness, thermal stability, and processing method of the substrate used for the next generation semiconductor are discussed. In this study, the applicability of PCVM to SiC processing, the temperature dependence of processing characteristics, the application of PCVM to SiC peripheral processing (surface processing), and the application of PCVM to SiC inner thinning are discussed.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハの薄化
使用 PCVM(等离子体化学汽化加工)减薄 SiC 晶圆
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤武寛;佐野泰久;堀勉;原 英之;山村和也;三村秀和;勝山義昭;山内和人
- 通讯作者:山内和人
Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Carbide
硅和碳化物等离子化学汽化加工的温度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Sano;M. Watanabe;T. Kato;K. Yamamura;H. Mimura;and K. Yamauchi;佐野泰久
- 通讯作者:佐野泰久
Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining
等离子化学气化加工碳化硅的抛光特性
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Sano;M. Watanabe;K. Yamamura;K. Yamauchi;T. Ishida;K. Arima;A. Kubota and Y. Mori
- 通讯作者:A. Kubota and Y. Mori
SBDのI-V測定によるSiC加工表面の結晶性評価
通过 SBD I-V 测量评估 SiC 加工表面的结晶度
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:白沢佑樹;佐野泰久;岡本武志;山内和人
- 通讯作者:山内和人
PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハのベベル加工
使用 PCVM(等离子体化学汽化加工)对 SiC 晶圆进行斜角加工
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤武寛;佐野泰久;原 英之;三村秀和;山村和也; 山内和人
- 通讯作者:山内和人
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Generation of high-density plasma using electrode with narrow slitand its application to grooving
窄缝电极产生高密度等离子体及其在切槽中的应用
- 批准号:
23656104 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 16.89万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
High efficiency chemical thinning and dicing process for SiC semiconductor substrate
SiC半导体衬底的高效化学减薄和切割工艺
- 批准号:
21246027 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 16.89万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)