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High efficiency chemical machining process for wide bandgap semiconductor substrate

High efficiency chemical machining process for wide bandgap semiconductor substrate
宽带隙半导体衬底高效化学加工工艺
批准号：
18686014
负责人：
SANO Yasuhisa
金额：
$16.89万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686014/
关键词：
炭化ケイ素PCVM大気圧プラズマべベル加工薄化SiCプラズマCVMエッチングワイドギャップ半導体

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。
英文摘要
ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。
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会议论文
PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハの薄化
使用 PCVM（等离子体化学汽化加工）减薄 SiC 晶圆
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [加藤武寛, 佐野泰久, 堀勉, 原 英之, 山村和也, 三村秀和, 勝山義昭, 山内和人]
通讯作者： 山内和人
Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Carbide
硅和碳化物等离子化学汽化加工的温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Mimura, and K. Yamauchi, 佐野泰久]
通讯作者： 佐野泰久
Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining
等离子化学气化加工碳化硅的抛光特性
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45
影响因子： --
作者： [Y. Sano, M. Watanabe, K. Yamamura, K. Yamauchi, T. Ishida, K. Arima, A. Kubota and Y. Mori]
通讯作者： A. Kubota and Y. Mori
SBDのI-V測定によるSiC加工表面の結晶性評価
通过 SBD I-V 测量评估 SiC 加工表面的结晶度
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [白沢佑樹, 佐野泰久, 岡本武志, 山内和人]
通讯作者： 山内和人
共 16 条
    Generation of high-density plasma using electrode with narrow slitand its application to grooving
    • 批准号：
      23656104
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SANO Yasuhisa
    • 依托单位：
      Osaka University
    High efficiency chemical thinning and dicing process for SiC semiconductor substrate
    • 批准号：
      21246027
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $27.71万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SANO Yasuhisa
    • 依托单位：
      Osaka University