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High efficiency chemical thinning and dicing process for SiC semiconductor substrate

SiC半导体衬底的高效化学减薄和切割工艺

基本信息

批准号：
21246027
负责人：
SANO Yasuhisa
金额：
$ 27.71万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009-04-01 至 2013-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246027/
关键词：
特殊加工炭化ケイ素薄化ダイシング大気圧プラズマ PCVM SiC 無歪

项目摘要

Silicon carbide (SiC) is a promising semiconductor material for energy-saving power devices. However, because of its high hardness and brittleness, few conventional machining methods can handle this material efficiently. A plasma chemical vaporization machining (PCVM) technique, which is plasma etching using atmospheric-pressure plasma, has been considered for thinning and dicing process of SiC substrates by using the newly-developed PCVM apparatus. As a result of thinning experiments, a maximum removal rate of 500 nm/min was obtained over the entire 2-inch 4H-SiC (0001) wafer. And as a result of basic cutting experiments, a maximum removal rate of more than 0.01 mm/min with a groove width of less than 0.2 mm was successfully achieved.

碳化硅（SiC）是一种很有前途的节能功率器件半导体材料。然而，由于其高硬度和脆性，很少有传统的加工方法可以有效地处理这种材料。等离子体化学蒸发加工（PCVM）技术，这是等离子体刻蚀使用大气压等离子体，已被认为是SiC衬底的减薄和切割过程中使用新开发的PCVM设备。作为减薄实验的结果，在整个2英寸4 H-SiC（0001）晶片上获得500 nm/min的最大去除速率。基础切削试验结果表明，在最大切削速度大于0.01 mm/min，槽宽小于0.2 mm的条件下，获得了较好的切削效果。

项目成果

期刊论文数量（44）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Thinning of a Two-Inch Silicon Carbide Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining Using a Slit Electrode

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.750
发表时间：
2014-02
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Yu Okada;H. Nishikawa;Y. Sano;K. Yamamura;K. Yamauchi
通讯作者：
Yu Okada;H. Nishikawa;Y. Sano;K. Yamamura;K. Yamauchi

Thinning of 2-inch SiC Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining Using Cylindrical Rotary Electrode

圆柱形旋转电极等离子体化学气化加工2英寸SiC晶圆减薄

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Yusuke Ohashi;Yusuke Suzuki;Masato Ohnishi;Ken Suzuki;Hideo Miura;Yasuhisa Sano
通讯作者：
Yasuhisa Sano

Thinning of SiC Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.857
发表时间：
2010-04
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Y. Sano;Takehiro Kato;Tsutomu Hori;K. Yamamura;H. Mimura;Y. Katsuyama;K. Yamauchi
通讯作者：
Y. Sano;Takehiro Kato;Tsutomu Hori;K. Yamamura;H. Mimura;Y. Katsuyama;K. Yamauchi

PCVM による2 インチSiC 基板の薄化-スリット電極の検討-

利用PCVM实现2英寸SiC基板的薄化-狭缝电极的研究-