Study on One-Dimensional Nano-Spin Photo-Detectors Fabricated by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

选区金属有机气相外延制备一维纳米自旋光电探测器的研究

• 批准号: 18686026
• 负责人: HARA Shinjiro
• 金额: $ 17.22万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686026/
• 关键词: 有機金属気相成長; 選択形成; 強磁性体; III-V族化合物半導体; ヘテロ接合; ナノクラスタ; ナノワイヤ; スピントロニクス; 位置制御選択形成; 自己形成; スピンエレクトロニクス; インジウム燐; ガリウムインジウム砒素; マンガン砒素

位置およびサイズを精密に制御して、強磁性体ナノ構造を半導体ウェハ上に作製する「選択形成技術」を初めて開発した。強磁性体ナノ構造の結晶成長条件(温度・原料ガス供給比等)依存性を明らかにして、ナノ構造の成長方向制御を実現すると共に、磁気物性評価と合わせてナノ構造の磁化方向制御技術を確立した。また原子レベルで急峻・平坦な強磁性体/半導体界面・表面を持つナノ構造を作製し、コアとなる化合物半導体ナノワイヤの組成制御を実現した。

The first development of "selective formation technology" for precise manufacturing of ferromagnetic materials and semiconductor structures The dependence of crystal growth conditions (temperature, raw material supply ratio, etc.) of ferromagnetic structures on the growth direction control of ferromagnetic structures is clearly established. The structure of the ferromagnetic/semiconductor interface and the composition of the compound semiconductor interface are realized.

项目成果

Position-controlled growth of GaAs nanowires on Si (111) by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy

通过选区金属有机气相外延在 Si (111) 上位置控制生长 GaAs 纳米线

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Tomioka;Y. Kobayashi;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
• 通讯作者: T. Fukui

SA-MOVPE of InGaAs nanowires and their compositions studied by micro-PL measurement

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.123
• 发表时间: 2008-11
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Takuya Sato;Yasunori Kobayashi;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui

Self-Assembled Formation of Ferromagnetic MnAs Nanoclusters on GaInAs/InP (111)B Layers by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

金属有机气相外延在 GaInAs/InP (111)B 层上自组装形成铁磁 MnAs 纳米团簇

• 发表时间: 2007
• 期刊: Journal of Crystal Growth (Elsevier Science) Vol.298
• 作者: K. Seo;A. Nishimura;G. Nishijima;S.Hara;S.Hara
• 通讯作者: S.Hara

Characterization of Fabry-Perot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1063/1.2787895
• 发表时间: 2007-09-24
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Hua, Bin;Motohisa, Junichi;Fukui, Takashi
• 通讯作者: Fukui, Takashi

Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si

• DOI: 10.1021/nl802398j
• 发表时间: 2008-10-01
• 期刊: NANO LETTERS
• 影响因子: 10.8
• 作者: Tomioka, Katsuhiro;Motohisa, Junichi;Fukui, Takashi
• 通讯作者: Fukui, Takashi