课题基金 / 基金详情

Semiconductor lasers with carrier energy filter structure

Semiconductor lasers with carrier energy filter structure
具有载流子能量滤波器结构的半导体激光器
批准号：
18686031
负责人：
MIYAMOTO Tomoyuki
金额：
$19.22万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686031/
关键词：
電子デバイス・機器高性能レーザーMBEエピタキシャル量子井戸半導体物性半導体レーザー光情報伝送キャリア分布

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光通信用半導体レーザの性能向上を制限するキャリア注入課題の克服のため, キャリアのエネルギー状態に基づく遷移を制御するエネルギーフィルタリングのためのトンネル注入量子構造とそのレーザ応用を検討した.理論解析から高速動作の設計指針と動作条件を明らかにし, 実験的に製作条件検討に基づきレーザ発振を確認することで, 本手法の課題を明確化した. また, 新規発振特性を見出し, その高速動作応用を提案した. 本研究により, 新原理に基づく高性能レーザの基礎を築いた.
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会议论文
Energy relaxation control of injection capriers in tunnel injection quantum well lasers
隧道注入量子阱激光器中注入毛细管的能量弛豫控制
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Yasutaka Higa, Hiroshi Nakajima, Kosuke Fujimoto, and Tomoyuki Miyamoto, Yasutaka Higa]
通讯作者： Yasutaka Higa
トンネル注入構造を用いた半導体光増幅器の理論解析(29a-ZQ-9)
采用隧道注入结构的半导体光放大器的理论分析（29a-ZQ-9）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [藤本康介, 宮本智之, 比嘉康貴, 中島浩, 小山二三夫]
通讯作者： 小山二三夫
理論解析を基にしたトンネル注入レーザの発振特性の検討(28p-SG-7)
基于理论分析的隧道注入激光器振荡特性研究（28p-SG-7）
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [中島浩, 宮本智之, 岩崎鷹博, 比嘉康貴, 松浦哲也, 小山二三夫]
通讯作者： 小山二三夫
理論解析を基にしたトンネル注入レーザの発振特性の検討
基于理论分析的隧道注入激光器振荡特性检验
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： 第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 AP071108-03
影响因子： --
作者： [中島浩, 宮本智之, 岩崎鷹博, 比嘉康貴, 松浦哲也, 小山二三夫]
通讯作者： 小山二三夫
共 28 条
    Formation technology on light and current fine structures in semiconductor photonic devices
    • 批准号：
      25600111
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      MIYAMOTO Tomoyuki
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Semiconductor Photonic Devices based on Control of Carrier Energy Relaxation
    • 批准号：
      21360165
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.48万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      MIYAMOTO Tomoyuki
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    GaInNAs vertical cavity surface emitting laser arrays for ultra-high speed and parallel data-links
    • 批准号：
      13555091
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.77万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      MIYAMOTO Tomoyuki
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金