Formation technology on light and current fine structures in semiconductor photonic devices

半导体光子器件光电流精细结构形成技术

• 批准号: 25600111
• 负责人: MIYAMOTO Tomoyuki
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25600111/
• 关键词: 面発光レーザ; 混晶化; 選択酸化; 光閉じ込め; 電流閉じ込め; 半導体加工プロセス; 光エレクトロニクス; AlAs; 半導体光デバイス; 製作プロセス技術; ヘテロ界面混晶化; 相互拡散; 物性制御; 光集積

项目成果

混晶化法を用いたAlAs選択酸化特性制御に関する基礎実験

混合结晶法控制AlAs选择氧化特性的基础实验

• 发表时间: 2015
• 作者: Kuniaki Konishi;Makoto Kuwata-Gonokami;小西邦昭;小西邦昭;魏徹，宮本智之
• 通讯作者: 魏徹，宮本智之

混晶化法を用いたAlAs選択酸化特性の数値解析

混合结晶法对AlAs选择氧化特性的数值分析

• 发表时间: 2014
• 作者: Kuniaki Konishi;Makoto Kuwata-Gonokami;小西邦昭;小西邦昭;魏徹，宮本智之;魏徹，宮本智之
• 通讯作者: 魏徹，宮本智之