课题基金 / 基金详情

Formation technology on light and current fine structures in semiconductor photonic devices

Formation technology on light and current fine structures in semiconductor photonic devices
半导体光子器件光电流精细结构形成技术
批准号：
25600111
负责人：
MIYAMOTO Tomoyuki
金额：
$2.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25600111/
关键词：
面発光レーザ混晶化選択酸化光閉じ込め電流閉じ込め半導体加工プロセス光エレクトロニクスAlAs半導体光デバイス製作プロセス技術ヘテロ界面混晶化相互拡散物性制御光集積

项目摘要

项目成果

MIYAMOTO Tomoyuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
混晶化法を用いたAlAs選択酸化特性制御に関する基礎実験
混合结晶法控制AlAs选择氧化特性的基础实验
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Kuniaki Konishi, Makoto Kuwata-Gonokami, 小西邦昭, 小西邦昭, 魏徹，宮本智之]
通讯作者： 魏徹，宮本智之
混晶化法を用いたAlAs選択酸化特性の数値解析
混合结晶法对AlAs选择氧化特性的数值分析
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Kuniaki Konishi, Makoto Kuwata-Gonokami, 小西邦昭, 小西邦昭, 魏徹，宮本智之, 魏徹，宮本智之]
通讯作者： 魏徹，宮本智之
Semiconductor Photonic Devices based on Control of Carrier Energy Relaxation
  • 批准号：
    21360165
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.48万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    MIYAMOTO Tomoyuki
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
Semiconductor lasers with carrier energy filter structure
  • 批准号：
    18686031
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $19.22万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    MIYAMOTO Tomoyuki
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
GaInNAs vertical cavity surface emitting laser arrays for ultra-high speed and parallel data-links
  • 批准号：
    13555091
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $8.77万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    MIYAMOTO Tomoyuki
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
海外基金