Semiconductor Photonic Devices based on Control of Carrier Energy Relaxation

基于载流子能量弛豫控制的半导体光子器件

• 批准号: 21360165
• 负责人: MIYAMOTO Tomoyuki
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360165/
• 关键词: 光通信; 光配線; 半導体光デバイス; 半導体レーザ; 量子井戸; 半導体物性; キャリア緩和; 高速変調; MBE,エピタキシャル; 電子デバイス・機器; 半導体レーザー; 直接変調; 共鳴トンネル; 半導体光増幅器; 光情報伝送; キャリア分布

The objective of this study is to solve the bottleneck of the direct modulation bandwidth of semiconductor lasers by controlling the energy relaxation of the carrier. The study of quantum structure and device fabrication was carried out. To clarify the theoretical validity of the mechanism, the specific structure was proposed and the theoretical characteristics were investigated. Experimentally, prototype of the proposed laser was fabricated and the fundamental properties and the issues for high-speed operation of lasers were clarified.

本研究的目的是通过控制载流子的能量弛豫来解决半导体激光器直接调制带宽的瓶颈。开展了量子结构和器件制造的研究。为了阐明该机制的理论有效性，提出了具体结构并研究了理论特征。通过实验，制造了所提出的激光器的原型，并阐明了激光器的基本特性和高速运行的问题。

项目成果

数値解析によるトンネル注入SOAの動作特性の解明

通过数值分析阐明隧道注入 SOA 的运行特性

• 发表时间: 2011
• 作者: Xu Li;S. Kishimoto;F. Nakamura;T. Mizutani;反町幹夫
• 通讯作者: 反町幹夫

Well-in-Well量子井戸レーザの製作と測定(I)

井中井量子阱激光器的制作与测量（一）

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Idehara;K.Kosuga;La Agusu;I.Ogawa;H.Takahashi;M.E.Smith;R.Dupree;比嘉康貴
• 通讯作者: 比嘉康貴

Large Light Output Kink Characteristics of Tunnel Injection Quantum Well Lasers

隧道注入量子阱激光器的大光输出扭结特性

• DOI: 10.1143/jjap.50.080205
• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Yasutaka Higa;Hiroshi Nakajima;Mikio Sorimachi;Tomoyuki Miyamoto
• 通讯作者: Tomoyuki Miyamoto

Well活性層レーザの製作とRIN特性の評価

阱有源层激光器的制作及RIN特性评估

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Saito,Y.Tatematsu;T.Idehara;et al.;西野目卓弥
• 通讯作者: 西野目卓弥

変形トンネル注入構造としてのWen-in-Well量子井戸構造の電子緩和解析

作为变形隧道注入结构的 Wen-in-Well 量子阱结构的电子弛豫分析

• 发表时间: 2010
• 作者: 福島匡泰;吉村武;前田和弘;芦田淳;藤村紀文;比嘉康貴
• 通讯作者: 比嘉康貴