Manipulation of quantum phase of superfluid helium-3 by micro fabricated device
Manipulation of quantum phase of superfluid helium-3 by micro fabricated device
批准号:
18740223
负责人:
SAITOH Masamichi
金额:
$2.42万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008
中文摘要
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英文摘要
くし型電極と呼ばれる微細加工で作成した装置を1mK以下の超低温度で用いることで、超流動ヘリウム3薄膜を自在に制御し、新たな巨視的量子現象の舞台としての可能性を探った。その結果、超流動転移温度の膜厚依存性を精密に測定することができ、超流動ヘリウム3薄膜の制御に必要な重要な知見を獲得することができた。
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The Surface Density of States of Superfluid 3He for Different Surface Boundary Conditions
不同表面边界条件下超流体3He态的表面密度
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Phys 150
影响因子:
--
作者:
[S. Murakawa, Y. Wada, Y. Tamura, M. Saitoh, Y. Aoki, R.Nomura, and Y. Okuda, J. Low Temp]
通讯作者:
J. Low Temp
Thickness Dependence of Critical Current of Superfluid ^3He Film
超流体^3He薄膜临界电流的厚度依赖性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
J. Low Temp. Phys. 148
影响因子:
--
作者:
[Y.Hashimoto, T.Yamagishi, S.Katsumoto and Y.Iye, 長田 博文, 上山大信, M. Saitoh and K. Kono]
通讯作者:
M. Saitoh and K. Kono
Dynamic property of dissipative flow of superfluid ^3He film
超流^3He薄膜耗散流动态特性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Mignot, J. M., 山口淳一, 藤田貴弘, 村上喜美, 道村真司, 大沢明, 國森敬介, 米村卓巳, 谷田博司, 近藤晃弘, 吉居俊輔, 伊賀文俊, 世良正文, 谷田博司, 大山研司, 吉居俊輔, 道村真司, 近藤晃弘, 永井翔太, 伊賀文俊, S. Murakawa, M. Saitoh, M.Saitoh, M. Saitoh]
通讯作者:
M. Saitoh
膜厚制御によるサブミクロン3^He薄膜の超流動転移
通过控制膜厚度实现亚微米 3^He 薄膜中的超流转变
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Seko, H., K.Saito, T.Tsuda, 斎藤政通,池上弘樹,河野公俊]
通讯作者:
斎藤政通,池上弘樹,河野公俊
Critical Current Measurement of Superfluid 3He Film in Magnetic Field
超流3He薄膜在磁场中的临界电流测量
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Matsumoto, N., A. Namiki, I.Sumita, Richard Klemm and K. Kadowaki, M. Saitoh]
通讯作者:
M. Saitoh
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