Development of semiconductor nano-spintronics device simulator based on atomistic material parameters
Development of semiconductor nano-spintronics device simulator based on atomistic material parameters
基于原子材料参数的半导体纳米自旋电子器件模拟器的研制
批准号：
18749006
负责人：
SOUMA Satofumi
金额：
$1.18万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
近年の高度情報化社会の急速な発展を支えて来たシリコントランジスタの限界を超えるアプローチの一つに,電子のスピン自由度を利用した新しいエレクトロニクス-半導体スピントロニクス-がある.そのような半導体スピントロニクス素子の開発において具体的な設計指針を与えるような,原子レベルの材料特性に基いた信頼性のあるシミュレータの開発を行った.それを用いて,スピントロニクス材料の一つである狭ギャップ半導体を用いた素子,及びグラフェンナノリボン素子のシミュレーションを行い,それらにおける特性を明らかにした.
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Quantum Electron Transport in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Lquilibrium Green's function Method
基于多能带非平衡格林函数法的纳米器件中的量子电子输运
基于多能带非平衡格林函数法的纳米器件中的量子电子输运
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
IEICE Technical Report VLD2006-49 SDM2006-170
影响因子：
--
作者：
[Helmy Fitriawan, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Tanroku Miyoshi]
通讯作者：
Tanroku Miyoshi
狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響
界面结构对窄带隙半导体谐振隧道器件自旋相关传导的影响
界面结构对窄带隙半导体谐振隧道器件自旋相关传导的影响
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[相馬聡文, 小川真人]
通讯作者：
小川真人
Spin Development Transport in Graphene Nano Ribbon Devices
石墨烯纳米带器件中的自旋发展传输
石墨烯纳米带器件中的自旋发展传输
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S Souma, M Ogawa T Yamamoto and K Watanabe]
通讯作者：
M Ogawa T Yamamoto and K Watanabe
グラフェンナノリポン素子におけるスピン輸送に関する理論解析
石墨烯纳米脂质体器件中自旋输运的理论分析
石墨烯纳米脂质体器件中自旋输运的理论分析
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[相馬聡文, 小川真人, 由本貴博, 渡辺一之]
通讯作者：
渡辺一之
グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果
栅电极对石墨带导电的影响
栅电极对石墨带导电的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[相馬聡文, 小川真人, 山本貴博, 渡辺一之]
通讯作者：
渡辺一之
共 32 条
Creation of ultra low-power-consumption device operation mechanism based on graphene
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批准号：24656234
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2012
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负责人：SOUMA Satofumi
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依托单位：
海外基金