Development of semiconductor nano-spintronics device simulator based on atomistic material parameters

基于原子材料参数的半导体纳米自旋电子器件模拟器的研制

• 批准号: 18749006
• 负责人: SOUMA Satofumi
• 金额: $ 1.18万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18749006/
• 关键词: 半導体; 物性理論; 量子閉じ込め; スピンエレクトロニクス; 半導体物性; 半導体スピントロニクス; スピン依存伝導; グラフェン; 非平衡グリーン関数法; スピン軌道相互作用; メゾスコピック系

近年の高度情報化社会の急速な発展を支えて来たシリコントランジスタの限界を超えるアプローチの一つに,電子のスピン自由度を利用した新しいエレクトロニクス-半導体スピントロニクス-がある.そのような半導体スピントロニクス素子の開発において具体的な設計指針を与えるような,原子レベルの材料特性に基いた信頼性のあるシミュレータの開発を行った.それを用いて,スピントロニクス材料の一つである狭ギャップ半導体を用いた素子,及びグラフェンナノリボン素子のシミュレーションを行い,それらにおける特性を明らかにした.

In recent years, the rapid development of a highly information-based society has been supported by the development of new technologies, such as semiconductor technology, semiconductor technology and electronic technology. Specific design guidelines for the development of semiconductor elements and the development of basic information properties of atomic materials. In the case of semiconductor materials, the characteristics of semiconductor materials are clearly defined.

项目成果

グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果

栅电极对石墨带导电的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: 相馬聡文;小川真人;山本貴博;渡辺一之
• 通讯作者: 渡辺一之

Quantum Electron Transport in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Lquilibrium Green's function Method

基于多能带非平衡格林函数法的纳米器件中的量子电子输运

• 发表时间: 2006
• 期刊: IEICE Technical Report VLD2006-49 SDM2006-170
• 作者: Helmy Fitriawan;Satofumi Souma;Matsuto Ogawa;Tanroku Miyoshi
• 通讯作者: Tanroku Miyoshi

狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響

界面结构对窄带隙半导体谐振隧道器件自旋相关传导的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: 相馬聡文;小川真人
• 通讯作者: 小川真人

Spin Development Transport in Graphene Nano Ribbon Devices

石墨烯纳米带器件中的自旋发展传输

• 发表时间: 2009
• 作者: S Souma;M Ogawa T Yamamoto and K Watanabe
• 通讯作者: M Ogawa T Yamamoto and K Watanabe

グラフェンナノリポン素子におけるスピン輸送に関する理論解析

石墨烯纳米脂质体器件中自旋输运的理论分析

• 发表时间: 2008
• 作者: 相馬聡文;小川真人;由本貴博;渡辺一之
• 通讯作者: 渡辺一之